Victory TCAD Solution

Complete Process, Device Modeling and Simulation Flow

Leader in Power, Display, Optoelectronics

Virtual Wafer Fab Experimentation

Technology Co-Optimization Environment

Victory TCAD Solution

Complete Process, Device Modeling and Simulation Flow

Leader in Power, Display, Optoelectronics

Virtual Wafer Fab Experimentation

Technology Co-Optimization Environment

半导体工艺与器件仿真

TCAD软件解决方案对于开发新型半导体工艺和器件十分重要,是半导体研发工作的关键。

1

离子注入

扩散

氧化

刻蚀, 沉积, 外延

光刻

应力

2
  • 二维和三维器件网格优化
  • 二维和三维实体建模
3

基于漂移扩散的器件物理

DC、AC和瞬态分析

Mixed Mode 仿真 (器件+电路混合仿真)

光电仿真

4

原子尺度输运仿真

5

器件特性和SPICE仿真

6

RC抽取

7

高性能和高精度并行SPICE仿真器

TCAD工具优势

降低开发成本

  • 缩短开发周期
  • ITRS路线图表明,TCAD仿真可以将开发成本降低约30%

内部物理过程可视化

  • 通过仿真,可以观察器件内部信息。实验室测量可以获取一些器件信息,但不能确定为何会出现这些信息。如果使用TCAD工具就可以获取原因。例如:
    • 由功率器件的反偏特性可知在高反偏电压下发生了什么,在某个特定电压下器件会发生击穿。
    • 通过TCAD仿真也可以得到反向电流-电压曲线,重要的是TCAD工具可以探究为什么会发生击穿。在TCAD中,工程师可以观察器件内部信息,并确定半导体中哪个区域首先由于高碰撞离化而击穿。

工艺设计协同优化(DTCO)

  • TCAD作为DTCO的一部分,它可以在版图、工艺、器件、 SPICE以及RC提取中优化设计。
  • 一个完善的DTCO流程,完整的TCAD到SPICE将为电路设计优化提供清晰可操作的结果。

虚拟实验设计

  • 实验设计:改变器件版图、工艺步骤或者器件工作条件可以更好的理解和改善器件性能
  • TCAD虚拟实验分析:通过设置器件模型中各种物理量及相关系数,使得理论仿真和实际量测结果相匹配,帮助工程师更好地理解器件特性

清晰表达问题

  • 半导体器件和工艺是一项复杂的工程,工程师需要向不同领域的专家表达问题并一起合作解决问题
  • 利用TCAD工具,可以清晰表述和交流器件和工艺的改变、器件性能的优化,进而缩短研发周期

Silvaco TCAD工具拥有独立知识产权,数百年来,服务了上千家商业客户、政府和高校,久经行业验证!

相关资源



Si、GaN和SiC功率器件的SPICE建模

Learn How TCAD is a Key Enabler for Photodiode Development