Victory TCAD Solution

Complete Process, Device Modeling and Simulation Flow

Leader in Power, Display, Optoelectronics

Virtual Wafer Fab Experimentation

Technology Co-Optimization Environment

Victory TCAD Solution

Complete Process, Device Modeling and Simulation Flow

Leader in Power, Display, Optoelectronics

Virtual Wafer Fab Experimentation

Technology Co-Optimization Environment

半導体プロセス/デバイス・シミュレーション

TCADソフトウェア・ソリューションは、R&Dサイクルの一環として新しい半導体プロセスおよびデバイスを開発する上で非常に重要です。

TCADの利点

シミュレーションにより、デバイスの「内部」を見ることができます。実験的な測定では、何が起こっているのかは分かりますが、なぜ起こっているのかは分かりません。TCADを使えば、なぜ起こっているのかが分かります。例えば、
- パワー・デバイスの逆電圧特性解析では、高い逆バイアスで何が起こっているのかが分かります。デバイスは特定の電圧で逆方向絶縁破壊されているのです。
- TCADシミュレーションでは、逆方向の電流・電圧曲線を再現することもでき、また、なぜデバイスが絶縁破壊されたのかも分かります。TCADではエンジニアがデバイスの「内部」を見て、衝突電離により半導体内部のどの領域が最初に絶縁破壊されたのかを特定することができます。

因果関係の実験: デバイス・デザイン (レイアウト)、半導体プロセス (テクノロジ)、またはバイアス (デバイスの動作条件) を変更することで、デバイスのパフォーマンスを理解し、改善することができます。
TCADを使った理論の実験: モデルの設定や係数を介してデバイス内で起こるさまざまな物理現象の影響度を制御できます。シミュレーションに適用された理論が実験結果と一致すれば、それは根本原因を見つけ、デバイスのパフォーマンスについて物理的理解が得られたということになります。

半導体デバイス設計および半導体プロセス開発は複雑な作業です。エンジニアは、さまざまな技術的専門知識を持つ多くの同僚に課題の内容や改善の糸口を説明し、互いに協力して課題解決に取り組む必要があります。
TCADを利用することにより、デバイスおよびプロセスの変更を十分に伝えることができます。すなわち、製造サイクル回数を最小限に抑えると同時にパフォーマンスを向上できる可能性を明確に伝えることができます。

シルバコのTCADソリューションは社内で構築されてものであり、これまで企業、政府、そして大学など数千ものお客様により、数十年もの間、半導体業界で使用されてきた実績のあるソリューションです。