Silvaco Victory TCAD解决方案
助力碳化硅、氮化镓和硅基功率器件快速开发
为了满足汽车、5G、工业、消费电子、高性能计算、航空航天和国防市场对功率器件的需求，基于碳化硅 （SiC）、氮化镓 （GaN） 和硅基材料的宽禁带半导体正在快速推动功率器件的发展。
Silvaco以TCAD为核心的功率器件开发和建模解决方案可以帮助客户大幅缩短开发时间和成本，加快产品上市周期。
功率器件
硅基和SiC
射频功率器件
GaN
点击获取有关 SiC 和硅基功率器件的更多信息： 《Victory TCAD 开发概述–SiC 和硅基器件》
点击获取有关GaN功率器件的更多信息：《Victory TCAD 开发概述–GaN》
功率器件开发概述
Silvaco以TCAD为核心的开发和建模解决方案，能帮助工程师在功率器件开发过程中对器件工作条件、器件工艺技术或半导体技术进行探索和虚拟更改，定性和定量地理解器件。然后，再通过迭代仿真，工程师就可以优化器件的性能和工作范围，从而大大减少实现批量生产所需的时间和成本。
TCAD 开发流程
工艺仿真
使用Victory Process将工艺流程虚拟化
通过虚拟制造优化您的下一代功率器件
完整的 2D/3D TCAD 工艺仿真和仿真解决方案
- 2D模式下快速的创建、调试和校准
- 轻松过渡到真实的 3D结构以进行全 3D 技术设计
- 无缝集成到器件仿真中
SiC、GaN和硅基器件的工艺仿真
- 刻蚀与沉积
- 离子注入
- 杂质激活
- 氧化
- 应力
- 开放的模型材料库
SPICE仿真和建模
Utmost IV 可以快速而准确地生成 SPICE模型
SmartSpice 提供高精度仿真结果
使用Utmost IV提取并验证SPICE模型参数
- TCAD流程整合
- SPICE 参数优化
- SmartSpice引擎提供高速准确的仿真
- 广泛而精准的紧凑型模型
- 任意复杂度的分层宏模型
- 多种温度、晶圆、晶粒、器件
- DC、电容、S参数和提取数据的混合（Vt、Idsat和ft等）
- 器件模型参数和网表参数的任意组合
使用SmartSpice Rubberband调整瞬态参数
- 使用基于时间的数据
- 栅电荷、米勒平台调整
- 反向恢复时间和电荷参数（trr、Qrr）
