Silvaco Victory TCAD解决方案
助力碳化硅、氮化镓和硅基功率器件快速开发
功率器件
硅基和SiC
射频功率器件
GaN
点击获取关于SiC 和硅基功率器件的更多信息: 《Victory TCAD 开发概述–SiC 和硅基器件》
点击获取关于GaN功率器件的更多信息:《Victory TCAD 开发概述–GaN器件》
功率器件开发概述
Silvaco以TCAD为核心的开发和建模解决方案,能帮助工程师在功率器件开发过程中对器件工作条件、器件工艺技术或半导体技术进行探索和虚拟更改,定性和定量地理解器件。然后,再通过迭代仿真,工程师就可以优化器件的性能和工作范围,从而大大减少实现批量生产所需的时间和成本。
TCAD 开发流程
工艺仿真
使用Victory Process将工艺流程虚拟化
通过虚拟制造优化您的下一代功率器件 fabrication
完整的 2D / 3D TCAD 工艺仿真和仿真解决方案
- 2D模式下快速的创建、调试和校准
- 轻松过渡到逼真的 3D结构以进行全 3D 技术设计
- 无缝集成到器件仿真中
SiC、GaN和硅基器件的工艺仿真
- 刻蚀与沉积
- 离子注入
- 杂质激活
- 氧化
- 应力
- 开放的模型材料库
SPICE仿真和建模
Utmost IV 可以快速而准确地生成 SPICE模型
SmartSpice 提供高精度仿真结果
Utmost IV提取并验证SPICE模型参数
- TCAD流程整合
- 快速生成模型
- 广泛而精准的紧凑型模型
- Spice参数优化
SmartSpice提供快速和准确的仿真结果
- 多种温度、晶圆、芯片、器件
- 直流、电容、S参数和数据提取(Vt、Idsat 等)的混合
- 器件模型参数和网表参数的任意组合