Simulation Standard
Silvaco面向半导体工艺和器件仿真工程师推出的技术刊物

面向动态导通电阻、漏电、击穿及机器学习辅助设计探索的常关型p-GaN HEMT预测性TCAD建模
本文介绍了一套用于常关型p-GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)预测性仿真的实用TCAD工作流程,重点涵盖器件物理校准、泄漏建模、动态导通电阻、击穿特性以及机器学习辅助的设计空间探索。

利用FTCO™和数字孪生技术加速面向制造的硅光集成电路仿真
我们构建了一套完整的工艺技术协同优化(FTCO™)工作流,将GDS版图文件导入、三维工艺仿真、GPU加速FDTD仿真、实验设计(DOE)及基于AI的代理模型构建无缝集成。

1200 V垂直型氮化镓FinFET晶体管的TCAD击穿仿真
本文利用Silvaco Victory工具套件,对一颗1200 V垂直型氮化镓(GaN)FinFET晶体管进行了TCAD工艺仿真、网格生成及器件仿真。

利用AI驱动的FTCO加速下一代功率技术发展
我们最新一期的 Simulation Standard 探讨了Silvaco的AI驱动型制造技术协同优化 (FTCO™) 平台通过结合规模化仿真、智能实验设计和机器学习代理模型,如何变革功率器件开发工作流程,并以pGaN HEMTs、垂直型GaN和SiC DMOS技术为实例进行演示讲解。

叠层有机发光二极管的有机输运模型
下一代显示技术正采用叠层有机发光二极管拓扑结构来提升面板性能。

赋能下一代高压功率器件:从仿真到系统的氧化镓沟槽肖特基二极管
β-Ga₂O₃有望彻底变革高压功率转换领域,其超低损耗和高临界电场特性使之成为下一代功率器件的理想选择[1],能够为AI数据中心供电、可再生能源系统[2]、高压断路器和静电放电保护[3]提供1–6 kV、0.5–0.8 kA范围内的三相高压直流的AC/DC和DC/AC转换方案。

