Victory Device 仿真器
TCAD器件仿真是开发下一代半导体器件的关键,可以深入了解器件的复杂物理现象。Victory Device是基于物理的器件仿真器,用于分析和预测器件性能。
优势
- 表征先进半导体器件的电学、化学、热和光学特性,优化器件性能。
- 应对当前技术挑战,缩短产品研发周期。
- 探索下一代器件的新型器件技术。
应用
- 先进CMOS & Bulk CMOS, PDSOI, FDSOI, FinFET
- 功率&射频&BCD,功率二极管,IGBT,晶闸管, GaN HEMT, SiC DMOS, SiC LMOS等
- 显示技术– 非晶硅, 多晶硅, 及 IGZO TFT, LED, OLED, MicroLED
- 光电子学&CCD,CMOS图像传感器,雪崩光电二极管,PiN光电二极管,太阳能电池
基于双脉冲法的IGBT开关仿真
2024 TCAD基准版本软件发布
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Comparison of Models for Fluorine Effect on Dopant Diffusion in CMOS Processes