• Victory Device

Victory Deviceシミュレータ

TCADデバイス・シミュレーションは、次世代の半導体デバイスの開発において、複雑な物理現象を理解するための重要なツールです。Victory Deviceでは、物理ベースのデバイス・シミュレーションにより、デバイスの性能を予測・理解することができます。

利点

  • 先端半導体デバイスについての電気的、化学的、熱的、光学的特性評価により、デバイス性能の最適化が可能
  • 現行技術の課題を把握し、製品開発期間を短縮
  • 次世代デバイスに向けた新規デバイス技術の探求

用途

  • アドバンスドCMOS：バルクCMOS、PDSOI、FDSOI、FinFET
  • パワー&RF：BCD、パワー・ダイオード、IGBT、サイリスタ、GaN HEMT、SiC DMOS、SiC LMOSなど
  • ディスプレイ：アモルファスおよびPoly-Si TFT、IGZO TFT、LED、OLED、マイクロLED
  • オプト・エレクトロニクス：CCD、CMOSイメージ・センサ、アバランシェ・フォトダイオード、PiNフォトダイオード、太陽電池
  • 汎用2D/3Dデバイス・シミュレータ、ドリフト拡散方程式、エネルギ・バランス輸送方程式
  • DC、AC、およびトランジェント解析
  • 正確な3Dジオメトリ表現のための四面体メッシュ。 Delaunay メッシュのためのボロノイ離散化
  • シリコンおよび化合物材料のユーザ・カスタマイズ可能な材料データベースを備えた高度な物理モデル
  • 応力に依存した移動度やバンドギャップモデル
  • Cインタプリタや動的リンクライブラリを用いた高度にカスタマイズ可能な物理モデル
  • 分散コンピューティングをサポートする高度なマルチスレッド数値ソルバ・ライブラリ(64ビット、80ビット、128ビット、160ビット、256ビット、320ビット精度)
  • Atlasとの互換性

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