Victory Deviceシミュレータ
TCADデバイス・シミュレーションは、次世代の半導体デバイスの開発において、複雑な物理現象を理解するための重要なツールです。Victory Deviceでは、物理ベースのデバイス・シミュレーションにより、デバイスの性能を予測・理解することができます。
利点
- 先端半導体デバイスについての電気的、化学的、熱的、光学的特性評価により、デバイス性能の最適化が可能
- 現行技術の課題を把握し、製品開発期間を短縮
- 次世代デバイスに向けた新規デバイス技術の探求
用途
- アドバンスドCMOS:バルクCMOS、PDSOI、FDSOI、FinFET
- パワー&RF:BCD、パワー・ダイオード、IGBT、サイリスタ、GaN HEMT、SiC DMOS、SiC LMOSなど
- ディスプレイ:アモルファスおよびPoly-Si TFT、IGZO TFT、LED、OLED、マイクロLED
- オプト・エレクトロニクス:CCD、CMOSイメージ・センサ、アバランシェ・フォトダイオード、PiNフォトダイオード、太陽電池
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