• Victory Device

Victory Deviceシミュレータ

TCADデバイス・シミュレーションは、次世代の半導体デバイスの開発において、複雑な物理現象を理解するための重要なツールです。Victory Deviceでは、物理ベースのデバイス・シミュレーションにより、デバイスの性能を予測・理解することができます。

利点

  • 先端半導体デバイスについての電気的、化学的、熱的、光学的特性評価により、デバイス性能の最適化が可能
  • 現行技術の課題を把握し、製品開発期間を短縮
  • 次世代デバイスに向けた新規デバイス技術の探求

用途

  • アドバンスドCMOS:バルクCMOS、PDSOI、FDSOI、FinFET
  • パワー&RF:BCD、パワー・ダイオード、IGBT、サイリスタ、GaN HEMT、SiC DMOS、SiC LMOSなど
  • ディスプレイ:アモルファスおよびPoly-Si TFT、IGZO TFT、LED、OLED、マイクロLED
  • オプト・エレクトロニクス:CCD、CMOSイメージ・センサ、アバランシェ・フォトダイオード、PiNフォトダイオード、太陽電池

関連資料




関連動画

ニュース

お客様の声

四戸孝氏
 当社は全く新しい独自の製法により酸化ガリウムデバイスの開発を行っています。このような新規デバイスの開発を効率よく進めるにはデバイス・シミュレーションの活用が重要になってきます。今回シルバコのデバイス・シミュレータを採用するにあたり、シルバコの持つワイドバンドギャップ半導体に対する豊富な実績、パワーデバイスに対する深い知見が決め手となりました。今後の実用化に向けてGaO™パワーデバイスの開発が一層進んで行くものと期待しています。 
Coby Hanoch
 シルバコは、半導体企業で広く使用されている最先端デバイス・モデルおよびTCADツールを提供しています。我々の共同開発が成功したことにより、業界で最も強力なシミュレーション・ツール上で、WeebitのReRAMテクノロジにアクセスすることが容易になります。お客様は、新しく開発されたTCADモデルにより、製造においてコストと時間のかかる処理を省略しながら、次世代製品の開発およびリリースを速めることが可能となります。習得、開発、テストといった数ヶ月もの時間がかかるサイクルが今ではなくなりました。このことは、Weebitによるもう1つの重要なマイルストーンであり、より多くのグローバルなOEMカスタマの採用を加速します。