Victory Device
Victory Device Simulator
TCAD 소자 시뮬레이션은 차세대 반도체 소자를 개발하는 핵심으로서, 복잡한 물리 현상에 대한 통찰력을 제공합니다. Victory Device는 물리학에 기초한 소자 시뮬레이션을 실행하여, 소자의 성능을 예측하고 이해할 수 있습니다.
장점
- 최신 반도체 소자의 전기적, 화학적, 열적, 광학적 특성을 추출하여, 소자의 성능을 최적화
- 현재 기술의 과제를 이해하여, 신속한 제품 개발 추구
- 차세대 소자에 필요한 새로운 소자 기술을 탐구
적용
- 최신 CMOS – 벌크 CMOS, PDSOI, FDSOI, FinFET
- 전력 및 RF – BCD, Power Diode, IGBT, Thyristor, GaN HEMT, SiC DMOS, SiC LMOS, etc
- 디스플레이 기술 – 비정질 및 폴리 실리콘 TFT, IGZO TFT, LED, OLED, MicroLED
- 광학 기술 – 이미지 센서, Avalanche 포토다이오드, PiN 포토다이오드, 태양 전지
핵심 기능
- 범용 2D/3D 소자 시뮬레이터, 드리프트 확산 및 에너지 밸런스 수송 방정식
- DC, AC 및 과도 분석
- 사면체 메쉬로 3D 구조를 정확하게 표현. 들로네 메쉬를 위한 보로노이 이산화
- 실리콘 및 화합물에 대해 사용자 맞춤형 물질 데이터베이스를 갖춘 최신 물리 모델
- 응력에 종속적인 이동도 및 밴드갭 모델
- C-Interpreter 또는 DLL을 이용한 맞춤형 물리 모델
- 분산 컴퓨팅, 64비트, 80비트, 128비트, 160비트, 256비트, 320비트 정밀도를 지원하는 최신 멀티 스레드 수치 솔버 라이브러리
- Atlas와 호환
발열
- “Giga” 모듈이 코어 2D/3D 시뮬레이터와 결합하여 모듈로 작동
- Giga가 다음과 같은 발열의 영향을 일관성 있게 시뮬레이션
- 열 생성
- 열 흐름, 격자 발열
- 열의 흡수
- 온도에 종속하는 물질 파라미터
- 시뮬레이션 동안 지엽적인 발열이 발생할 때 소자의 전기 특성에 영향을 끼치므로, 일부 영역의 온도를 소자 물리 모델로 일관되게 분석
광학
- 실바코 “Luminous” 모듈이 코어 2D/3D 시뮬레이터와 결합하여 모듈로서 동작
- Luminous는 임의의 토폴로지로 2D/3D 비평면 반도체 소자의 광 흡수 및 생성을 모델링
- 내/외부 반사 및 굴절, 편광 의존성 및 분산 고려 가능
- 단색 광원 또는 다중 스펙트럼 광원을 시뮬레이션하여, 광전자 고유의 특수 파라미터 추출 가능
- DC, AC, 과도 및 스펙트럼 광 반응
- 사용 가능한 방법
- 주파수 도메인 – Ray Trace, Transfer Matrix Method (TMM), Mode Solver, Beam Propagation Method (BPM)
- 시간 도메인
- Ray Trace, Finite Difference Time Domain (FDTD)
회로 연계 시뮬레이션
- “MixedMode” 모듈이 코어 2D/3D 시뮬레이터와 결합하여 모듈로서 동작
- 하나 이상의 드리프트 확산 기반 2D/3D TCAD 소자를 SPICE 회로 네트워크와 연계하여 시뮬레이션
- 정확한 컴팩트 모델이 존재하지 않거나, 중요한 소자를 매우 정확하게 시뮬레이션해야 할 때, 물리학에 기초한 소자를 사용
- SPICE 넷리스트가 수동 및 능동 SPICE 엘리먼트를 정의
- 의도된 저항 및 기생 저항, 캐패시턴스 및 인덕턴스 정의
- Verilog-A 모델 외에 광범위한 업계 표준 컴팩트 모델 제공
방사선 효과
- 방사선 효과 (REM) 및 Single Event Effects (SEE) 모듈이 코어 2D/3D 시뮬레이터와 결합하여 모듈로서 동작
- 방사선이 반도체 소자에 미치는 영향과 관련있는 물리학을 연구
- 사용 영역
- 절연체의 Total Dose Effects – 전자 정공 쌍 생성, 재결합, 캐리어 수송, 캐리어 포획 및 방출
- Single Event Effects – 광전류 밀도 및 선형 에너지 전달 함수로서 전하 생성
- Dose Rate Effects – 광 생성 및 재결합, 소자 내 전류의 흐름
- Displacement Damage Modeling – 물질의 수명을 수정하는 비 이온화 에너지 손실 모델, 사용자 정의 격자 결함 모델링 계층을 통해서 보다 상세한 모델링
- 광 생성, 재결합 및 전하 포획을 위해 사용자 모델 프로토타입을 만드는 유연한 C-Interpreter 루틴
- 수소 수송 시뮬레이션을 위한 전기-화학 모듈
전기-화학
- Chemistry 모듈이 코어 2D/3D 시뮬레이터와 결합하여 모듈로서 동작
- 일반 반도체 소자 물리학 현상에 적용되는 임의의 수의 화학 물질 종에 대한 전기화학 반응 및 수송 포착
- 소자 신뢰성을 위한 수소 수송. 방사선 노출로 인한 바이어스 응력, 수소 수송 효과
- 차세대 비휘발성 메모리 – CBRAM, oxRAM 등
- 배터리 또는 반도체 기반 이온 센서에서의 이온 수송
TCAD 자료
프리젠테이션
- Parasitic Extraction Clever and Hipex FS – Integrated Full Chip and Cell Level RCX Combine Rule Based and Field Solver Solutions
- DTCO Tool Flow – Single Run-Time Environment for Design Technology Co-Optimization
- Optical Simulations – Light Emitting and Absorbing Devices
- Power Device Solutions – Full TCAD to SPICE Flow
- Parasitic Extraction – Full Chip and Cell Level RC Extraction
- Process Simulation Options – Four Ways to Create a Physical Structure
- Radiation Effects Module – Total Dose and Single Event Phenomenon, Damage Inducing and Elastic Interactions
- Victory Atomistic – Practical Atomic-Scale Simulation
브로셔
공개 논문
Simulation Standard
웨비나
동영상
Webinar Preview: TCAD Introduction and the Basics Part 1
TCAD Introduction and the Basics-Part 3
Webinar Preview: Optimization of the Select Gate Transistor in a 3D NAND Memory Cell
TCAD Simulation of Wide Bandgap Power Devices&Webinar Preview
Leakage Current TCAD Calibration in a Si TFTs Preview
TCAD Simulation of Organic Optoelectronic Devices
TCAD Simulation of Ion Transport and Electrochemistry
Solar cell modeling using TCAD and SPICE
How to Search the TCAD Examples
Dr. Eric Guichard, Vice President of the TCAD Division, Display Week 2019 Interview
Vincent Lee, CEO of Lumiode, Display Week 2019 Interview
Simulation of Reliability and NBTI Aging in MOS Microelectronics
Modeling and Analysis of Single Event Effects&Webinar Preview
Simulation of Physical Etching in Memory
뉴스
고객의 평가
Coby Hanoch
Silvaco provides state-of-the-art device models and TCAD tools that are widely used by semiconductor companies. We are excited to establish this joint development program with Silvaco so customers will have early access to our ReRAM technology on the most powerful simulation tools in the industry and can fast-track the release of their next-generation products. This is another key step by Weebit Nano to accelerate the incorporation of ReRAM technology by a larger number of OEM customers.
Weebit Nano
CEO
Takashi Shinohe
We are developing gallium oxide devices with a completely new proprietary manufacturing method. Utilizing a device simulator will become important in order to efficiently develop such new devices. For the decision to use Silvaco’s device simulator, the deciding factors were Silvaco’s extensive track record with wide band gap semiconductors, and Silvaco’s depth of knowledge of power devices. We expect to see even more progress in our development of GaO™ power devices as we move toward practical applications.
FLOSFIA
CTO
User Probes and Arbitrary Parameter Sweeps in Victory Device
Quantum Transport Simulation at Atomistic Accuracy of a Nanowire FET
2022 TCAD Baseline Release
Simulation of the High Temperature Performance of InGaN ‘Topping’ Cells