Victory Mesh生成、优化以及实体建模
Victory Mesh用于对现有的2D和3D TCAD结构进行网格划分和优化，以及通过实体建模功能生成新的2D和3D结构，功能十分强大。
一个典型的使用流程是先在工艺仿真器Victory Process中生成器件结构和掺杂数据，然后输入Victory Mesh进行网格优化，再在Victory Device进行器件仿真中或在VIctory RCX中进行3D寄生提取。
另外，也可以使用Victory Mesh的实体建模功能修改现有器件的结构，或者创建全新的，带掺杂的结构。
优势
- 优化2D或3D结构网格划分，提升器件仿真或 RC 提取能力
- 可执行如裁剪、切片、镜像等操作
- 根据用户定义来自动优化网格
- 利用实体建模技术来创建2D或者3D器件
应用
- 先进节点CMOS & 体硅 CMOS, PDSOI, FDSOI, FinFET
- 功率 & RF & BCD, 功率二极管, IGBT, 晶闸管，GaN HEMT, SiC DMOS, SiC LMOS等
- 显示 & 非晶和多晶硅TFT, IGZO TFT, LED, OLED, MicroLED
- 光电子 & CCD, CMOS图像传感器, 雪崩光电二极管, PiN光电二极管, 太阳能电池
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