β-Ga₂O₃有望彻底变革高压功率转换领域，其超低损耗和高临界电场特性使之成为下一代功率器件的理想选择[1]，能够为AI数据中心供电、可再生能源系统[2]、高压断路器和静电放电保护[3]提供1–6 kV、0.5–0.8 kA范围内的三相高压直流的AC/DC和DC/AC转换方案。

本文演示了如何应用Silvaco TCAD工具套件，对平面型碳化硅MOSFET（DMOS）实现从工艺制程到电路分析的全流程仿真。