日志 Gigi Boss
赋能下一代高压功率器件：从仿真到系统的氧化镓沟槽肖特基二极管
β-Ga₂O₃有望彻底变革高压功率转换领域，其超低损耗和高临界电场特性使之成为下一代功率器件的理想选择[1]，能够为AI数据中心供电、可再生能源系统[2]、高压断路器和静电放电保护[3]提供1–6 kV、0.5–0.8 kA范围内的三相高压直流的AC/DC和DC/AC转换方案。
Victory TCAD 2025 软件版本发布
凭借四十余年的深厚积淀，Silvaco 发布的 Victory TCAD™ 2025 版本，再次引领 TCAD 领域的创新浪潮。该版本在仿真引擎、求解器性能、物理模型以及面向大规模 3D 应用的多物理场工作流程方面均实现了重大提升。
基于物理的数字孪生，加速面向AI工厂的800V高压直流垂直型GaN功率器件开发
我们将讨论基于物理的数字孪生，加速面向AI工厂的800V高压直流垂直型GaN功率器件开发
加速高性能像素开发：基于TCAD的数字孪生技术赋能新一代CIS
2026年2月12日 10:00am CST
功率MOSFET动态测试
本文演示了如何应用Silvaco TCAD工具套件，对平面型碳化硅MOSFET（DMOS）实现从工艺制程到电路分析的全流程仿真。