Predictive TCAD Modeling of Normally-Off p-GaN HEMTs for Dynamic RDS(on), Leakage, Breakdown, and ML-Based Design Exploration

This article presents a practical simulation workflow for predictive simulation of normally-off p-GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs), with emphasis on device-physics calibration, leakage modeling, dynamic RDS(on), breakdown behavior, and machine-learning-assisted design exploration.

利用FTCO™和数字孪生技术加速面向制造的硅光集成电路仿真

我们构建了一套完整的工艺技术协同优化（FTCO™）工作流，将GDS版图文件导入、三维工艺仿真、GPU加速FDTD仿真、实验设计（DOE）及基于AI的代理模型构建无缝集成。

1200 V垂直型氮化镓FinFET晶体管的TCAD击穿仿真

本文利用Silvaco Victory工具套件，对一颗1200 V垂直型氮化镓（GaN）FinFET晶体管进行了TCAD工艺仿真、网格生成及器件仿真。
Simulation Standard April 2026

利用AI驱动的FTCO加速下一代功率技术发展

我们最新一期的 Simulation Standard 探讨了Silvaco的AI驱动型制造技术协同优化 (FTCO™) 平台通过结合规模化仿真、智能实验设计和机器学习代理模型，如何变革功率器件开发工作流程，并以pGaN HEMTs、垂直型GaN和SiC DMOS技术为实例进行演示讲解。

叠层有机发光二极管的有机输运模型

下一代显示技术正采用叠层有机发光二极管拓扑结构来提升面板性能。

赋能下一代高压功率器件：从仿真到系统的氧化镓沟槽肖特基二极管

β-Ga₂O₃有望彻底变革高压功率转换领域，其超低损耗和高临界电场特性使之成为下一代功率器件的理想选择[1]，能够为AI数据中心供电、可再生能源系统[2]、高压断路器和静电放电保护[3]提供1–6 kV、0.5–0.8 kA范围内的三相高压直流的AC/DC和DC/AC转换方案。

Victory TCAD 2025 软件版本发布

凭借四十余年的深厚积淀，Silvaco 发布的 Victory TCAD™ 2025 版本，再次引领 TCAD 领域的创新浪潮。该版本在仿真引擎、求解器性能、物理模型以及面向大规模 3D 应用的多物理场工作流程方面均实现了重大提升。

基于物理的数字孪生，加速面向AI工厂的800V高压直流垂直型GaN功率器件开发

我们将讨论基于物理的数字孪生，加速面向AI工厂的800V高压直流垂直型GaN功率器件开发

功率MOSFET动态测试

本文演示了如何应用Silvaco TCAD工具套件，对平面型碳化硅MOSFET（DMOS）实现从工艺制程到电路分析的全流程仿真。

阻抗场与低信号噪声

低信号电气噪声不可避免，其成因在于器件内部过程的随机波动，例如热波动导致的载流子密度微观变化，以及产生-复合速率的统计波动。 此类噪声可能干扰电路预期行为，因此建模器件产生的噪声至关重要。了解噪声在器件中的具体产生位置亦具有重要意义，这有助于设计低噪声器件。Victory Device采用阻抗场法进行噪声计算。