Victory Device Simulator
TCAD 소자 시뮬레이션은 차세대 반도체 소자를 개발하는 핵심으로서, 복잡한 물리 현상에 대한 통찰력을 제공합니다. Victory Device는 물리학에 기초한 소자 시뮬레이션을 실행하여, 소자의 성능을 예측하고 이해할 수 있습니다.
장점
- 최신 반도체 소자의 전기적, 화학적, 열적, 광학적 특성을 추출하여, 소자의 성능을 최적화
- 현재 기술의 과제를 이해하여, 신속한 제품 개발 추구
- 차세대 소자에 필요한 새로운 소자 기술을 탐구
적용
- 최신 CMOS – 벌크 CMOS, PDSOI, FDSOI, FinFET
- 전력 및 RF – BCD, Power Diode, IGBT, Thyristor, GaN HEMT, SiC DMOS, SiC LMOS, etc
- 디스플레이 기술 – 비정질 및 폴리 실리콘 TFT, IGZO TFT, LED, OLED, MicroLED
- 광학 기술 – 이미지 센서, Avalanche 포토다이오드, PiN 포토다이오드, 태양 전지
IGBT Switching Simulation Based on the Double-Pulse Method
2024 TCAD Baseline Release
How Can I Re-Use Individual Monte-Carlo 3D Implant Profiles?
Comparison of Models for Fluorine Effect on Dopant Diffusion in CMOS Processes