• Power Devices Solutions

실바코 Victory TCAD 솔루션으로

SiC, GaN, Si 전력 소자를 빠르게 개발할 수 있습니다.

오토모티브, 5G, 산업, 소비자 가전, 고성능 컴퓨팅, 항공우주 및 방위 산업 분야의 요청에 발맞추어, SiC, GaN, 실리콘 기반의 와이드 밴드갭 반도체는 전력 소자의 변화를 이끌고 있습니다.

실바코의 TCAD 기반 전력 소자 개발 및 모델링 솔루션은 개발 시간 및 비용 절감과 출시 단축에 상당히 중요합니다.

Power Devices

Silicon Carbide and Silicon

SiC Si Power Device Markets

PIN Diode, Schottky Barrier Diode (SBD), DMOSFETs, Junction Gate FETs (JFETs), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), Bipolar Junction Transistor (BJT), Thyristor, Superjunction Device, Edge Termination Structures

RF Power Devices

Gallium Nitride

GaN Power Device Markets

Schottky / PIN Diode, Lateral HEMT, Vertical HEMT, Metal Insulator Semiconductor (MIS) HEMT, p-GaN gate HEMT, Multichannel HEMT, Superjunction Device

SiC 및 실리콘 전력 소자 개발에 대한 자세한 내용은 Victory TCAD SiC 및 실리콘 개발 개요를 참조하십시오

GaN 전력 소자 개발에 대한 자세한 내용은 Victory TCAD GaN 개발 개요를 참조하십시오

전력 소자 개발 개요

TCAD에 기초한 전력 소자 기술의 개발 및 모델링을 통해 소자 엔지니어는 개발 과정에서 동작 조건, 소자 기술 또는 반도체 기술을 가상으로 변경할 수 있습니다. 이는 개발 중인 전력 소자를 이해하는데 유용합니다. 그 다음, 반복적인 시뮬레이션을 통해 소자의 성능과 동작 파라미터를 최적화하여 대량 생산에 필요한 시간과 비용을 크게 절감할 수 있습니다.

TCAD 개발 플로우

TCAD Power Device Development Flow

공정

Victory Process는 공정 플로우를 가상으로 구현합니다

가상의 제조 공정을 통해서, 차세대 전력 소자를 최적화합니다

전체 2D/3D TCAD 공정 시뮬레이션 및 에뮬레이션 솔루션

  • 신속한 2D 빌드, 디버그, 보정
  • 전체 3D 기술 설계를 위해 실제적인 3D로 쉽게 변환
  • 소자 시뮬레이션에 원활하게 통합

SiC, GaN, 실리콘에 대한 공정 시뮬레이션

  • 식각 및 증착
  • 주입
  • 불순물 활성화
  • 산화
  • 응력
  • 개방형 모델 라이브러리 및 물질 데이터베이스
Victory Process Power Device Development
Victory Device Power Device Development

소자

Viction Device는 모든 전력 소자 시뮬레이션의 요구사항을 충족합니다

전체 2D/3D TCAD 소자 시뮬레이션 및 에뮬레이션 솔루션

  • DC, AC, 과도 전기적 시뮬레이션
  • 발열 시뮬레이션
  • 신뢰성 및 방사선
  • MixedMode 회로/소자 시뮬레이션

사용자가 수정할 수 있는 물리 모델 및 물질 파라미터

  • 시뮬레이션 소자를 실험 데이터에 맞게 보정
  • 물리적 파라미터를 조정하여 새로운 와이드 밴드갭 물질을 시뮬레이션

최신 수치 솔버 및 방법

  • 보다 어려운 시뮬레이션에 멀티 스레드 시뮬레이션 및 수치 확장 정밀도를 활용

모델링 및 SPICE 시뮬레이션

Utmost IV는 빠르고 정확하게 SPICE 모델을 생성합니다

SmartSpice는 매우 정확한 시뮬레이션 결과를 제공합니다

Utmost IV는 SPICE 파라미터 모델을 추출하여 검증합니다

  • TCAD 플로우 통합
  • 빠른 모델 생성
  • 폭넓은 컴팩트 모델
  • Spice 파라미터 최적화

SmartSpice는 빠르고 정확한 시뮬레이션을 제공합니다

  • 다양한 온도, 웨이퍼, 다이, 소자
  • DC, 캐패시턴스, S-파라미터, 추출 데이터 (Vt, Idsat 등)의 조합
  • 소자 모델 파라미터와 넷리스트 파라미터의 조합
Utmost IV SmartSpice Power Device Development

자료