致欢迎辞

演讲者：

赵友来，中国区总经理
Silvaco 

复旦大学硕士，在EDA软件及芯片IP核领域拥有超过20年行业经验。

公司最新进展

演讲者：

Babak Taheri 博士，CEO 及董事会成员
Silvaco

Babak Taheri 博士于2019年8月至2021年9月及2021年11月至今担任Silvaco的CEO和董事会成员，在2018年10月到2019年8月曾担任公司CTO和产品执行副总裁。
在加入Silvaco之前，于2015年5月至2018年10月担任咨询公司Integrated Biosensing Technologies（IBT）的CEO和总裁。还曾在多个咨询委员会任职，包括关于MEMS制造、设备和材料供应商以及研究机构的峰会MEMS World Summit、电机聚合物技术开发公司Novasentis以及加利福尼亚大学戴维斯分校电气工程系。在2021年6月至2022年5月，担任非营利性机构Parisi House on The Hill的董事会成员。Taheri博士获得了旧金山州立大学的工程学士学位、圣何塞州立大学的电气工程硕士学位以及加利福尼亚大学戴维斯分校的生物医学工程博士学位。

机器学习：EDA的新革命

摘要：

EDA设计流程使用一系列复杂的算法链将电路功能描述转换为掩模图案，其中一些算法使用数值求解器实现，另一些是被证明有效的启发式算法。每个算法都有各种各样的参数，往往需要手动调整介入实现优化，例如，使用相对成本参数来权衡面积和速度。近期，机器学习被应用在EDA工具中，通过多次运行并使用PPA数据来发现梯度变化，可自动、快速地收敛到特定设计的参数集。

Patrick Groeneveld博士近些年在研究真正基于机器学习驱动的EDA工具和布局布线策略。在本次演讲中，他将与我们分享EDA流程中机器学习的最新进展，并展望其在未来十年内的发展和影响。

演讲者：

Patrick Groeneveld 博士
斯坦福大学

Patrick Groeneveld博士在EDA行业有多年经验，目前任斯坦福大学电子工程系的讲师，并在DAC执行委员会中担任财务主席。曾在Magma、Cadence、Synopsys和Cerebras工作，在Magma担任CTO期间，开发了具有突破性的RTL到GDS2综合产品；还曾在荷兰埃因霍温大学的电气工程系任全职教授。Patrick Groeneveld博士在荷兰代尔夫特理工大学获得了硕士和博士学位。

半导体制造的“数字孪生”：用TCAD模型进行工艺仿真和优化

摘要：

TCAD仿真用于模拟半导体器件的制造工艺及电学特性，并在新型工艺制程开发中起到关键作用。随着仿真精度的提高，TCAD模型现在可以用作为“数字孪生”来模拟和优化半导体工艺制造流程。

这开辟了许多新的应用，例如虚拟开发新的半导体技术，减少物理实验，从而缩短了产品开发和量产时间。在晶圆制造厂的生产过程中，数字孪生还可以进一步优化工艺，监测偏差并检测故障。本次演讲中我们将深入探讨这些概念，并提供可以用作数字孪生的TCAD的示例。

演讲者：

Raúl Camposano 博士，CTO，IEEE Fellow
Silvaco

Raúl Camposano博士自2022年2月起担任Silvaco CTO。Camposano博士自2015年4月起担任半导体解决方案孵化器Silicon Catalyst的合伙人，自2018年4月以来在斯坦福大学担任EDA和机器学习硬件的讲师。从2020年7月到2022年1月，Camposano博士担任半导体设备公司Applied Materials的顾问；从2015年8月到2020年7月，担任软件工具公司Sage Design Automation的CEO，公司后于2020年被Applied Materials收购；从2010年11月到2014年5月，在Synopsys担任CTO、SVP和总经理等；在此之前，曾任德国国家计算机科学研究中心的董事会成员、帕德博恩大学的计算机科学教授和IBM T.J. Watson研究中心研究员。Camposano博士获得了智利大学的电气工程学士和硕士学位，以及卡尔斯鲁厄理工大学的计算机科学博士学位。Camposano博士于1999年当选为电气电子工程师学会会士（IEEE Fellow），并于2012年当选为EDA行业协会(ESDA)董事会成员。

Silvaco TCAD仿真最新进展

摘要：

Guichard博士将介绍Silvaco Victory TCAD产品的最新动态，TCAD在下一代器件开发中的重要性，以及TCAD在未来的开发。

演讲者：

Eric Guichard 博士，公司副总裁及TCAD事业部总经理
Silvaco
Eric Guichard博士是Silvaco公司副总裁及TCAD事业部总经理，负责管理TCAD部门从研发到现场实施的各项工作。自1995年加入Silvaco以来，曾担任Silvaco法国总监和全球TCAD现场运营总监等。在加入Silvaco之前，担任LETI和Thomson军事和航天公司的高级SOI工程师，专门研究晶体管和电路老化。Guichard博士拥有法国格勒诺布尔国立理工学院材料科学硕士学位和半导体物理学博士学位。

表面缺陷点对短路现象的影响

摘要：

在开关过程中，器件可能会进入过载异常状态，一些应用需要鲁棒性规格（例如，在短路和UIS测试中）。通过混合模式电路，可以模拟这种现象，并通过准确调整模拟参数，借助模拟/实验信息交换，来预测动态阶段的电热行为。我们以一项关于短路现象的研究作为案例，通过使用Silvaco软件进行TCAD仿真，研究活动区域中存在的缺陷点对短路的影响，以及缺陷点在不同位置的影响。

发言人：

Salvatore Cascino，SiC研发工程师
STMicroelectronics

Salvatore Cascino于1970年出生在意大利巴勒莫。他在巴勒莫大学获得物理学学位。他曾参与ENEA（弗拉斯卡蒂 – 罗马）的核聚变部门（FTU项目）以及帕多瓦（RFX项目）的聚变研究小组。他目前在意法半导体（卡塔尼亚）的研发团队工作，他目前的研究兴趣集中在碳化硅器件的技术开发上。在过去，他也曾从事感测应用和射频器件的开发工作。

常关型p-GaN HEMTs中，Mg激活对截止电压的影响的研究

摘要：

在本次演讲中，我们将探讨镁（Mg）掺杂及其电学激活对p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs的关断状态的影响。借助TCAD仿真，首先研究了不同Mg掺杂剖面的影响，分析了结构的能带图。然后，展示了电容-电压实验测量如何帮助获取p-GaN中的受主净浓度。

结果表明，将无掺杂GaN栅极的器件与经过退火参考工艺激活的p-GaN栅极的器件进行了对比。最后，展示了一个经改进的p-GaN激活的器件的结果，包括关断和导通状态的多个参数的改进，并与原器件结果比较，体现了Mg激活工艺在通常关断型GaN HEMTs的整体性能中的关键作用。

演讲者：

Giovanni Giorgino，ADG GaN功率和分立器件研发工程师
STMicroelectronics

Giovanni Giorgino于2020年取得意大利都灵理工大学的电子工程硕士学位。自2020年以来，他在意法半导体的研发部门担任GaN器件工程师，目前参与功率应用p-GaN栅极器件的开发、特征化和建模。他具有半导体物理、模拟电路和功率电子的背景。

超越CMOS的存储器设计

摘要：

在本次演讲中，Debo将介绍Kepler Computing公司的超越CMOS(Beyond CMOS)研发进展，特别是在存储器应用中，以及如何使用Silvaco TCAD仿真来实现这些新型存储器。

演讲者：

Debo Olaosebikan，联合创始人及CEO
Kepler Computing

Debo是一位来自旧金山的企业家、物理学家和工程师，在加入Kepler之前，他是Gigster的联合创始人和CTO。他曾是康奈尔大学的物理博士研究生，领导电气硅激光器的研究。他曾在IBM研究自旋电子学，并于2011年获得Future Africa最佳科学利用奖。Debo曾担任Thiel Fellowship的导师，为初创公司投资并提供建议。

用于存储技术开发和制造的先进建模解决方案

Sumeet Pandey，高级技术经理
Micron

25年来量子输运工具的开发成果及全球影响

摘要：

过去30年中，业界对于量子输运建模的各种理论方法和原型实现进行了深入研究。20世纪80和90年代，原型器件是基于二维电子气（2DEGs）或室温谐振隧道二极管。如今，我们已经完全理解了这些早期器件在纳米晶体管中的关键尺寸和工作特性。当下我们需要量化的、可预测的器件设计模型，来探索突破最终纳米尺度极限的器件设计路径。在本演讲中，我们将介绍业界为什么普遍采用基于原子态紧束缚的非平衡格林函数（NEGF）方法。我们的NEMO5操作定义了目前业界使用的最先进技术，这一技术由Silvaco商业化并已被Intel采用。nanoHUB和chipshub通过易于使用的应用程序传播了众多NEMO版本，让学生和科研工作者能够开展更多的概念探索和细致运输特性分析。

演讲者：

Gerhard Klimeck 教授，nanoHUB主任，IOP/APS/IEEE Fellow
普渡大学

Gerhard Klimeck是普渡大学电气与计算机工程系的终身教授，Academic IT的副CIO兼学术信息技术副VP， Computational Nanotechnology 网络主任，以及预测性材料与器件中心的主任。他协助创建了nanoHUB.org——全球最大的纳米技术用户虚拟平台，每年为全球200多万用户提供服务。Gerhard Klimeck是英国物理学会（IOP）、美国物理学会（APS）、电气电子工程师学会（IEEE）、美国科学促进会（AAAS）和德国Humboldt基金会的会士（Fellow）。已发表了超过525篇文章，因共同发明了单原子晶体管、量子力学建模理论和仿真工具而在业内闻名。研发的NEMO5软件自2015年以来一直在Intel用于纳米晶体管设计。近期，nanoHUB团队因推动了仿真和数据普及获得了有“科技界奥斯卡”之称的R＆D 100奖项。

GaN功率应用市场和器件技术

摘要：

简述GaN材料商业级应用和未来市场：随着GaN相关技术被攻克，第三代半导体逐渐侵占以SiC-MOSFET/Si-IGBT为代表的第一代半导体的广大市场；其他新兴材料(第四代半导体)的发展和相关优缺点简介。目前使用Silvaco TCAD仿真的结果表明：材料缺陷会影响器件泄漏电流和击穿电压等特性，同时缺陷的复合还会引起开关时间和器件稳定性的问题。当前商业应用中的GaN功率器件均为水平式外延结构，本演讲将结合TCAD探讨如何克服电流崩塌问题，并描述垂直式GaN器件的优势和未来发展方向。

演讲者：

邱绍谚 博士，氮化镓电力电子部研发总监
华灿光电

邱邵谚博士有超过15年的学术研究、半导体制造业和设计企业的经验。2009年毕业于台湾海洋大学电机工程所后，一直致力于第三代半导体外延、工艺、氮化镓功率器件水平和垂直外延结构研究，发表了超过50篇关于化合物半导体相关论文及著作。台湾清华大博士后，浙江省“千人”计划高层次人才。

Silvaco TCAD仿真在先进逻辑与存储器件的应用实践

摘要：

自从1947年发明点接触双极晶体管以来，晶体管和集成电路创新持续驱动半导体技术的发展，也是现代电子设备微缩的基本引擎。随着器件特征尺寸的进一步缩小，器件参数和性能因子对器件特性的影响也明显不同，而TCAD工艺及器件仿真可以有效帮助器件设计与分析和辅助工艺制程开发。本次演讲中，我们将结合Silvaco TCAD仿真，介绍近些年来Silvaco在先进逻辑与存储器件仿真方面的进展，并通过对Logic CMOS、DRAM、3D NAND等领域的示例分析，讨论仿真建模与应用实践。

演讲者：

李茂，TCAD总监 – 先进CMOS
Silvaco 中国

李茂于比利时鲁汶大学取得理学硕士学位，在校期间在imec（欧洲校际微电子研究中心）担任研究助理，参与二维材料的早期研究项目，完成MoS2晶体管器件制备及表征工作。2017年毕业后，曾就职于中芯国际研发部门和海思半导体研究部，从事TCAD工艺器件仿真工作，主要负责先进逻辑器件仿真及DTCO研究分析；加入Silvaco以来，带领Foundry业务应用工程团队，面向客户提供技术支持。

CMOS和RRAM应用的纳米尺度输运

摘要：

对于先进的CMOS器件和RRAM技术，精准的纳米尺度电子输运仿真变得至关重要。在这次演讲中，我们将回顾量子输运仿真的最新进展以及它们对器件优化的帮助。基于非平衡格林函数（NEGF）形式的三维仿真可以精准分析三栅CMOS器件中的接触电阻，类似方法目前已用于分析由二维材料制成通道的晶体管中的接触电阻。从基础原理出发的仿真和量子输运之间的耦合尚不能提供器件操作的完整方案，我们还将讨论由此带来的RRAM器件（OxRAM、隧道结）仿真挑战。

演讲者：

François Triozon，研究科学家
法国CEA-Leti实验室

François Triozon于2002年取得法国Grenoble Alpes大学的博士学位，在2005年获得法国CEA-Leti的终身研究员。他的主要研究领域是使用半经典和量子方法在纳米器件中进行电子输运仿真，从原子尺度（从基础原理出发）到完整器件仿真，涵盖碳纳米管、二维材料、CMOS硅器件、GaN功率器件、铁电体和OxRAMs等多种器件和材料。

自旋电子磁电阻存储器的数值模拟

摘要：

凭借高速、耐久和不易失（nonvolatility）的特点，磁电阻随机存储器（MRAM）被认为是取代当前基于电荷的存储技术的方案，它利用自旋极化电流，可通过几种方式有效地控制逻辑状态。然而，一些工程方面的难题阻碍了MRAM的广泛应用，因此能够灵活地对MRAM进行仿真的软件十分重要。在本次演讲中，我们将介绍一种有限元方法的最新进展，用于仿真MRAM单元中的电荷、自旋和磁化状态。

演讲者：

Nils Petter Jørstad
TU Wien微电子研究所CDL-NovoMemLog实验室

Nils Petter Jørstad于2021年在挪威科技大学取得物理学硕士学位，专攻计算物理。Nils于2021年加入TU Wien微电子研究所CDL-NovoMemLog实验室，目前正在攻读博士学位，专注于仿真非易失性磁电阻存储器器件的自旋和磁化状态。

Silvaco EDA与IP最新进展

摘要：

Dan FitzPatrick将介绍Silvaco的模拟定制设计产品与IP产品的最新动态，包括新功能和新特性，以及未来的发展。

研究者：

Dan Fitzpatrick, 公司副总裁及EDA事业部总经理
Silvaco

Dan FitzPatrick是公司副总裁及EDA事业部总经理，负责管理所有EDA工具的开发，包括模拟定制设计和验证、电路模拟和SPICE建模、标准单元版图生成和特征化以及SIP管理工具。Dan FitzPatrick于2021年加入Silvaco，领导SIP管理、标准单元版图生成和特征化产品线。Dan FitzPatrick有丰富的EDA产品经验，从初创公司到财富500强公司，拥有多年软件开发和产品管理经验。Dan FitzPatrick取得了佛罗里达大学电子工程硕士学位和中佛罗里达大学MBA学位。

Tower携手Silvaco：设计工具包和标准单元库的开发与验证

摘要：

Silvaco是Tower所有工艺节点的标准单元库主要提供商。最近，Silvaco为Tower的电源管理65nm先进工艺开发了标准单元库，包括先进的特征化和MTBF性能计算。

Silvaco拥有完整的模拟设计流程，Tower作为模拟晶圆铸造厂的领导者，使用了Silvaco的流程和工具来支持和验证其iPDK和SPICE，如Expert、Gateway、SmartLVS和SmartDRC等。

演讲者：

Ofer Tamir，CAD、设计实现与支持总监
Tower Semiconductor

Ofer于2001年加入Tower，担任设计实现和CAD总监。Ofer负责所有设计工具包的开发、全球CAD和设计支持工作。他拥有超过30年的EDA和CAD经验，曾在National Semiconductor（现TI）、DSPG和Tower工作。Ofer还负责EDA行业关系，在DAC和Tech Forums等技术会议上发表演讲。

用于高效计算的高速、可靠、低电压SRAM

摘要：

对于下一代系统，不论是电池供电装置还是云设施中的AI/ML加速器，效率都至关重要。将逻辑和SRAM技术置于相同的工作电压，并结合动态电压和频率调整，可以实现最大的性能和效率，但会受到SRAM宏单元的电压、速度和可靠性的限制。

一种新的SRAM技术，经过优化的CMOS技术，旨在实现在0.45V至0.8V及以上的广泛电压范围内的高速、鲁棒/可靠操作。这种高速、低电压的SRAM技术可以与高效的微体系结构和优化的物理设计相结合，以实现计算、图形或人工智能/机器学习引擎的每瓦性能最大化。

演讲者：

Sinan Doluca，技术副总裁
Aril

利用Silvaco ACD平台进行超低温应用的高性能I/O设计

摘要：

Silvaco模拟与接口IP团队最近设计并交付了一个运行于4K (-269°C) 的2Gbs全功能LVDS I/O，速度非常快。Silvaco建模团队为这一极端温度创建了模型文件，IP团队则使用Silvaco EDA工具设计、布局和创建了相关文件和视图。在此温度下的器件特性与标准温度(-55°C至125°C)下的不同，使其在4K下正常工作并不容易。

该LVDS PHY包括发射器、接收器和辅助模块，能够实现100Ω负载下3.5mA PVT的独立性能，在接收器PAD+和PAD-终端之间的100Ω负载PVT的独立性能。此外，晶体管支持编程，以保证在板级、信号完整性和电源完整性方面的合规。

演讲者：

Ahmad S. Mazumder，工程总监，Silvaco
Shaikh A Shams，高级工程师，Silvaco

Ahmad S Mazumder是Silvaco IP部门的工程总监，负责模拟和接口IP的开发和客户支持。他在高速存储和接口IP以及各种模拟IP的开发方面是行业资深专家，曾任职Intel、博通、C-Cube Microsystems等多个SoC公司，在前沿的DDR、极高速SerDes、接口、ESD、质量和可靠性等领域工作了28年。他于2019年加入了Silvaco IP工程部门，在推动模拟/IP业务中发挥了关键作用。Ahmad S Mazumder拥有纽约市立大学的VLSI半导体设计硕士学位和孟加拉国工程与技术大学的电气与电子工程学士学位。

Shaikh A Shams是Silvaco模拟/接口IP部门的高级工程师，负责开发模拟和接口IP。他于2020年加入了Silvaco的IP工程部门，曾在Intel、GF和Dialog Semiconductor等公司工作了22年，涉及高速SerDes、接口、电压调节器、AMS设计和验证。Shaikh A Shams拥有亚利桑那大学的电气与计算机工程硕士学位。

Viso：先进的寄生参数分析解决方案

摘要：

Viso是下一代寄生参数分析解决方案，能够快速分析RC寄生网络的电气特性，这对电路行为至关重要。Viso的聚焦于寄生参数的方法使我们能够快速分析互连，以查明问题区域。它拥有非常直观的用户界面，用于突出显示有问题的寄生参数、时序估算和不同提取网表清单的准确比较。
在本次演讲中，我们将为您展示Viso在实际电路设计中的功能和作用。

演讲者：

Ayoub Hagrou，模拟设计工程师
STMicroelectronics

Ayoub Hagrou是意法半导体公司MDG部门STM32通用微控制器产品的模拟设计工程师。

Silvaco半导体仿真平台助力功率器件开发与仿真

摘要：

功率器件，尤其是第三代半导体器件，在市场上的应用越来越广泛，研发人员不断寻找更高效的方法来加速产品的开发和设计。Silvaco 提供的从版图设计，物理验证，工艺和器件仿真，Spice模型参数提取，以及Spice电路仿真等一系列工具，构成一个完整的功率器件开发和仿真的平台。在本次演讲中，我们将展示这个平台的主要功能和作用。

演讲者：

常志强，TCAD技术总监
Silvaco 中国

长期从事 Silvaco TCAD 在国内的技术推广、客户支持等工作，致力于 TCAD 在半导体工艺和器件中的仿真应用，帮助客户建立 TCAD 仿真能力和平台。本科毕业于南京大学，硕士毕业于复旦大学。

显示DTCO——从TCAD到系统仿真

摘要：

凭借更加轻薄的外型，AMOLED已经成为手机和可穿戴设备的首选显示屏。然而，随着OLED效率和像素分辨率的提高，所需的最大像素电流减小，TFT需要在较低灰度级别下工作，这对于实现较低灰度级别的精细调控和空间均匀性构成挑战，显示性能也将变得非常敏感。这不仅受内在的器件特性的影响，外部因素例如环境光线、基底和界面处的电荷捕获等也会对其产生影响。因此，将这些内外部影响因素与显示性能有效结合非常重要，也可以方便地对显示驱动方案和图像/视频处理方法进行验证。本次演讲中，我们将介绍一种使用TCAD和系统仿真的显示DTCO方法，用于仿真材料和器件特性对显示图像质量的影响、验证外部因素的影响，及理解非理想状态的显示特性。

演讲者：

郭小军 教授
上海交通大学

上海交通大学电子信息与电气工程学院长聘教授，副院长。2002年于吉林大学获得电子科学与技术专业学士学位，2007年于英国Surrey大学获得电子工程博士学位；曾在英国Plastic Logic公司（现为FlexEnable）从事柔性显示技术的研发工作。2009年加入上海交通大学，面向发展更为友好的“人-机-环境”界面电子技术，研究相关核心器件技术（晶体管、显示和传感）、混合器件电路设计、异质异构集成以及新型制造工艺模式。在国际主流期刊上和会议上以第一/通信作者发表论文超过100篇，受邀在国际学术会议发布报告超过20次。担任中国真空学会理事、SID-China副秘书长、IEEE TED/IEEE J-EDS/IOP-FPE等学术期刊编委、IEEE EDS理事会(BoG)成员、SID技术委员会委员、国际信息显示会议ICDT程序委员会共主席(2017-2019)等。获得国家优秀青年科学基金项目、SID Presidential Citation Award (2018、2020)。入选教育部“新世纪优秀人才计划”、上海高校特聘教授（东方学者）计划、上海市浦江人才计划、IEEE EDS Distinguished Lecturer、Sigma-Xi科学荣誉学会会员。

功率器件SPICE建模

摘要：

在本次演讲中，我们首先将概述功率器件的不同制造工艺，包括Si、GaN和SiC器件，分析它们的特点和优势。

然后，将分析功率器件SPICE建模的各种方法，包括紧凑模型和宏模型。尤其是功率FET建模，我们将分析如何正确处理它们的特定偏置相关电容，以及如何根据动态特性调整模型。

最后，我们将分享功率器件领域的独特挑战，如寄生元件和模型的准确性等方面。

演讲者：

Bogdan Tudor 博士，器件特征化高级经理
Silvaco

Bogdan Tudor是Silvaco器件特征化负责人，领导着Utmost和Modeling Service团队。Bogdan Tudor在模型开发和特征化软件方面拥有超过 20 年的经验。