Power Devices Solution
“By using Silvaco’s advanced TCAD solutions,
our teams can explore, understand, and optimize
the performance of GaN devices with greater depth
and efficiency.”
Michael Mensing, Ph.D,
Head of the Advanced Devices Group
Fraunhofer ISIT
Wide-bandgap Gallium Nitride and Silicon Carbide materials are transforming Power Semiconductors.
Silvaco's tailor-made power device flow is transforming how our customers innovate, differentiate,
and reduce time-to-market for the world’s next generation of Power Devices from process to layout.
“Silvaco’s Victory TCAD platform gives us the
ability to precisely model GaN device behavior
in real world conditions.”
Dr. Barry Lin, CTO
Wavetek
“With Silvaco’s prompt and expert technical
support, and unique tool features specifically
tailored for power devices design, we were able
to quickly adopt new capabilities…”
Mike Robinson, CEO
SemiQ
“The integration of Silvaco’s end-to-end DTCO
platform provides a unified environment to simulate,
characterize, and optimize power devices, from
process through circuit.”
Dumitru Sdrulla, CTO
Analog Power Conversion
成熟的宽禁带解决方案
全面支持 SiC 与 GaN 技术，提供精确的物理建模、经过验证的材料库，并为三种 GaN 紧凑模型提供仿真与提取支持。
加速产品上市进程
通过仿真驱动设计减少原型迭代，助您更快投入生产。借助 Silvaco 的 Fab Technology Co-OptimizationTM (FTCOTM) 解决方案，实现数字孪生技术，扩展 Design Technology Co-Optimization (DTCO) 范畴。
定制化功率器件流程
从版图与工艺仿真到紧凑建模与验证——设计功率器件所需的一切，均集成于统一平台。
模块化灵活配置
可使用完整流程或仅选择所需工具——Silvaco 适配您的设计策略与资源条件。
定制化支持
根据您的特定技术或开发目标，定制仿真模型、流程与工具链，并全程获得专家支持。
GaN 专项功能
Victory TCADTM 工具包含GaN专项特性，例如：
- 具备组分相关能带弯曲的极化与压电效应建模
- 面向界面与体可靠性的先进陷阱与缺陷模型
- 针对GaN与氮化物的低场/高场迁移率模型（含负微分迁移率）
- 包含声子辅助隧穿、变程跳跃及热载流子注入的泄漏机制
全技术平台支持
- Victory Mesh : 面向大尺寸器件的高效网格划分
- Expert : 功能强大的版图编辑器，可创建、管理及复制圆弧与复杂几何图形，内置便捷强大的脚本功能
- SmartDRC : 与Expert完美互补，能有效规避复杂圆弧结构的误报错误，同时精准捕获真实的设计规则违例
SiC 专项功能
Victory TCADTM 工具包含4H-SiC专项特性，例如：
- 稳健精确的三维各向异性氧化模型
- 各向异性碰撞电离与双阶迁移率模型，确保高场行为精确仿真
- 用于界面态与可靠性分析的先进陷阱与缺陷模型
- 经充分校准的Al、B、P、N离子蒙特卡洛注入与激活模型
特色功率解决方案内容
