SmartSpice RadHard Radiation Effects Circuit Simulator
SmartSpice RadHard 아날로그 회로 시뮬레이터는 싱글 이벤트 효과(SEE) 및 선량률(DR)에 의한 방사선 효과의 모델링 및 분석 시뮬레이션을 가능하게 합니다. SmartSpice 아날로그 회로 시뮬레이터에 따라 구축된 최신 전자 기기의 설계, 최첨단 반도체 기술의 분석에 필요한 정밀도, 기능 및 성능을 제공합니다.
특징
- .RAD문을 사용하여 과도 해석 및 DC 해석에 의한 고정밀 선량률(DR) 및 SEE 분석
- 업계에서 검증된 SmartSpice 아날로그 회로 시뮬레이터의 확장
- 개선된 Wirth & Rogers’ 모델과 옵션의 사용자 정의 모델에 의한 선량률 분석
- 개선된 Messenger 모델과 옵션인 사용자 정의 모델에 의한 싱글 이벤트 업셋(SEU)과 멀티 비트 업셋(MBU) 분석
- 회로를 최적화하여 설계 회로의 방사선 내성을 향상시키고 시스템 사양에 필요한 설계 트레이드 오프의 복잡한 분석이 가능
- 파운드리 제공의 벌크 CMOS, SOI, 바이폴라, biCMOS 공정을 위한 HSPICE®, PSPICE®, SmartSpice 표준 모델 지원
- 개방형 모델 개발 환경 및 Verilog-A 옵션으로 아날로그 동작 기능의 확장
- 사용자 정의 모델 및 시뮬레이터 제어의 앞선 ‘what if’ 기능으로 신규 발생되는 현상의 연구에 대응
- SmartSpice RadHard와 실바코 방사선 툴 플로우와의 완벽한 통합을 통해 프로세스 모델링 디바이스 시뮬레이션, 회로 분석, 물리적 레이아웃 및 칩의 기생 효과를 연결하고 재현성있는 물리학 기반의 환경을 제공하고 방사선 신뢰성 높은 영향을 검증
싱글 이벤트 효과 분석
- 부회로 모델이 아닌 확장된 업계 표준 디바이스 모델에 근거한 방사선 물리학
- 사용자 정의 전류 펄스 모델링
- 회로 넷리스트를 복잡하게 하지 않고, 빠르고 사용하기 쉬운 방사선 효과 분석 기능
- 싱글 비트 업셋 분석
- 멀티 비트 업셋 분석
Si, GaN, SiC 기술에 대한 전력 소자 SPICE 모델링
SmartSpice를 활용하여 최신 TFT 기반 플랫 패널 설계
Utmost IV를 활용한 소자 모델링의 최신 기술
실바코 플로우를 활용한 FPD 및 검출기의 픽셀 어레이 설계 및 시뮬레이션
SmartSpice Flex Modeling에 의한 화면 잔상 문제 제거