SmartSpice RadHard 放射線効果シミュレータ
SmartSpice RadHard™アナログ回路シミュレータは、シングル・イベント効果(SEE)や線量率(DR)による放射線効果のモデリングおよび解析のシミュレーションを可能にします。商業用のSmartSpiceアナログ回路シミュレータに基づき構築され、最新の電子機器の設計、分析や、最先端の半導体技術における解析に要求される精度、機能および性能を備えています。
特長
- 過渡解析およびDC解析のための.RADステートメントを使用した正確な線量率(DR)、SEEの解析を提供
- 業界で実績のあるSmartSpiceシミュレータの拡張機能として開発
- 修正Wirth & Rogersモデルや、オプションのユーザ定義モデルを用いてDRを解析
- シングル・イベント・アップセット(SEU)およびマルチ・ビット・アップセット(MBU)を、修正Messengerモデルや、オプションのユーザ定義モデルで解析可能
- 高度な回路最適化により、設計の放射線耐性を向上させ、システム仕様を満たすために必要な設計トレードオフの複雑な解析が可能
- バルクCMOS、SOI、バイポーラ、BiCMOSプロセス用の標準的なファウンドリ提供のHSPICE®, PSPICE®, SmartSpiceモデルをサポート
- オープンなモデル開発環境とVerilog-Aオプションによるアナログ・ビヘイビア機能の拡張
- カスタム・モデルやシミュレータ制御の高度なwhat-if機能により、新しい現象や新現象の研究をサポート
- SmartSpice RadHardは、プロセス・モデリング、デバイス・シミュレーション、回路解析、物理レイアウト、チップ寄生効果を結びつけるシルバコ放射線ツールフローに完全に統合されており、放射線や信頼性への影響を評価するための高い物理ベースの環境を提供
シングル・イベント効果
- サブサーキット・モデルではなく拡張された業界標準デバイス・モデルに基づく放射線物理
- ユーザ定義の電流パルス・モデリング
- 複雑な回路ネットリストによらない、高速で使いやすい放射線効果解析機能
- シングル・ビット・アップセット解析
- マルチ・ビット・アップセット解析
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