Victory Process中CMOS技术的建模框架

2025年2月27日 随着CMOS器件的不断微缩，器件尺寸越来越小，简单的杂质离子扩散模型已经没法实现精确的仿真。

如何利用 Victory Analytics 和机器学习校准 TCAD 数据

2024年12月12日 在本次研讨会中，我们将为您展示一种 ML 和 TCAD 相结合的策略，深入校准 TCAD 参数，使得 TCAD 仿真结果与实验数据更一致。

如何以原子级精度仿真二维TMD沟道FET？

2024年9月26日 在本次研讨会上，我们将为您介绍仿真软件Victory Atomistic，它以量子力学理论为基础，为专业TCAD环境中的二维晶体管原型开发提供了有力的支持。