Learn How STMicroelectronics Silicon Carbide (SiC) Research Team uses Silvaco TCAD to Analyze the Impact of Surface Defect Dot on Short Circuit Phenomena in SiC Devices
2024/3/28
シルバコ・ソフトウェアを用いたTCADシミュレーションにより、活性領域に局在する欠陥の短絡現象への影響を調査しました。欠陥ドットが平坦なボディ/ドレイン界面、チャネル領域のSiC/酸化膜界面、湾曲したボディ/ドレイン界面に局在するさまざまなケースを検討し、位置に対する感度も調査しました。
GaN-based Power Devices Design and Development with Silvaco TCAD Solution
2024/2/29
物理ベースのシミュレーション・ツールは、FBH研究室におけるこれらの新世代ワイドバンドギャップ電子デバイスの開発と洞察に不可欠です。このウェビナーでは、縦型および横型GaNベース・パワー・デバイスの設計、予測、電気特性の解析に使用するシルバコ・シミュレーション・ツールの使用例を紹介します。
Power Devices SPICE Modeling for Si, GaN and SiC Technologies
2024/2/8
コンパクトモデルやマクロモデルなど、パワーデバイスの SPICE モデリングに対する様々なアプローチを分析します。