Power Devices Solution
“By using Silvaco’s advanced TCAD solutions,
our teams can explore, understand, and optimize
the performance of GaN devices with greater depth
and efficiency.”
Michael Mensing, Ph.D,
Head of the Advanced Devices Group
Fraunhofer ISIT
Wide-bandgap Gallium Nitride and Silicon Carbide materials are transforming Power Semiconductors.
Silvaco's tailor-made power device flow is transforming how our customers innovate, differentiate,
and reduce time-to-market for the world’s next generation of Power Devices from process to layout.
“Silvaco’s Victory TCAD platform gives us the
ability to precisely model GaN device behavior
in real world conditions.”
Dr. Barry Lin, CTO
Wavetek
“With Silvaco’s prompt and expert technical
support, and unique tool features specifically
tailored for power devices design, we were able
to quickly adopt new capabilities…”
Mike Robinson, CEO
SemiQ
“The integration of Silvaco’s end-to-end DTCO
platform provides a unified environment to simulate,
characterize, and optimize power devices, from
process through circuit.”
Dumitru Sdrulla, CTO
Analog Power Conversion
와이드 밴드갭 솔루션
SiC 및 GaN 기술을 지원하여, 정확한 물리적 모델링, 검증된 소재 라이브러리, 세 가지 GaN 컴팩트 모델에 대한 시뮬레이션 및 추출을 제공합니다.
출시 기간 단축
시뮬레이션 기반 설계를 통해 반복적인 프로토타입을 줄여 신속한 생산이 가능합니다. DTCO를 넘어 실바코의 Fab Technology Co-OptimizationTM (FTCOTM) 솔루션을 통해 디지털 트윈 테크놀로지를 지원합니다.
맞춤형 전력 소자 플로우
레이아웃 및 공정 시뮬레이션에서 컴팩트 모델링 및 검증에 이르기까지, 전력 소자 설계에 필요한 모든 것을 하나의 플랫폼에서 제공합니다.
모듈식 유연성
전체 플로우를 사용하거나 필요한 툴만 선택할 수 있습니다 – 실바코는 고객의 설계 전략 및 리소스 조건에 적합합니다.
고객 맞춤형 지원
전문가의 도움으로 시뮬레이션 모델, 플로우 및 툴 체인을 특정 기술 또는 개발 목표에 맞게 조정할 수 있습니다.
GaN 대상
Victory TCADTM는 다음과 같은 GaN 특유 기능을 포함합니다
- 조성에 따른 밴드 보잉을 활용하여 분극 및 압전 모델링
- 인터페이스 및 벌크 신뢰성을 위한 고급 트랩 및 결함 모델
- 음의 differential mobility을 갖는 GaN 및 질화물 특유의 로우 필드 및 하이 필드 이동성
- 포논 지원 터널링, 변동 범위 호핑 (Variable Range Hopping, VRH), 핫 캐리어 주입 등의 누설 메커니즘
모든 기술 대상
- Victory Mesh에서 대형 소자를 위한 효율적인 메쉬 기능을 제공
- Expert 레이아웃 편집기에서 둥글고 복잡한 구조를 생성, 관리 및 복제. 사용자 친화적이고 강력한 스크립트 기능 내장
- SmartDRC는 Expert를 완벽하게 보완. 둥글고 복잡한 기하학적 구조에서 오류를 방지하여 실제 설계 규칙 위반을 포착
SiC 대상
Victory TCADTM는 다음과 같은 4H-SiC 특유 기능을 포함됩니다
- 견고하고 정확한 3D 이방성 산화 모델링
- 정확한 하이 필드 거동을 위한 이방성 임팩트 이온화 및 2단계 이동도 모델
- 인터페이스 상태 및 신뢰성 분석을 위한 고급 트랩 및 결함 모델
- Al, B, P, N에 대해 보정된 몬테 카를로 임플란트 및 활성화 모델
전력 소자 솔루션 컨텐츠
