太陽電池、導波路、LEDのオプトエレクトロニクス・シミュレーション

本ウェビナーでは、時間領域におけるシルバコの光学シミュレーション機能、すなわちFinite Difference Time Domain (FDTD) 手法の概要をご説明します。

Trixell、新しいディスプレイ・テクノロジ開発に向け、シルバコのTCADベース寄生抽出ソリューションを採用

米国カリフォルニア州サンタクララ発 - 2020年4月2日 - Silvaco Inc. (以下シルバコ) は本日、Trixellが次世代ディスプレイ開発で製造仕様を確実に満たせるよう、シルバコのTCADベース寄生抽出フローを採用したことを発表しました。

Accelerating Design with the Victory TCAD Suite

The Simulation Standard, Silvaco’s technical journal for semiconductor process and device engineers is beginning its 30th year of publication. The latest issue has just been released and it outlines a complete power device design flow using the Victory suite of TCAD simulation solutions – Victory Process, Victory Mesh, and Victory Device.

マルチスケール・シミュレーション・フローにより有機ELの製作時間、コストを削減

本ウェビナーでは、このギャップを埋めて、微視的な分子特性がデバイス性能に与える影響の解析を可能とする、微視的シミュレーションからTCADシミュレーションまでの自動インタフェース・フローをご紹介します。

TCAD Simulations of RF-SOI Switches with Trap-Rich Substrate

The market for cellular components has been shifting rapidly from GaAs pHEMT or silicon-on-sapphire (SOS) to silicon-based technology. CMOS (silicon-on-insulator) SOI antenna switches which are compatible with multimode GSM/EDGE, TD/WCDMA, and LTE systems exhibit higher integration levels and have become the fastest growing mobile phone submarket. CMOS-SOI processes, especially with thin silicon, have the potential to rival the FoM that was traditionally feasible only with GaAs technologies.