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The full text for most of these papers may be found at the IEEE website at www.ieee.org. Guriqbal Singh Josan, Archana Devasia, Sean Rommel and Santosh K. Kurinec, “Simulation and
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2020年2月19日 - 全世界の半導体業界に向け次世代メモリ・テクノロジの開発を行うWeebit Nano Ltd (ASX: WBT) と、電子システム設計用ソフトウェア、IP、サービスの世界的リーディング・プロバイダであるSilvaco Inc. (以下シルバコ) は、本日、Weebitのシリコン酸化物 (SiOx) 抵抗変化型メモリ (ReRAM) デバイスについて電気的振る舞いのモデリングに成功したことを発表しました。
7 years ago
本ウェビナーでは、シルバコのTCADツール・スイート群の一つであるVictory Atomistic (VA) のシミュレーション機能を紹介します。
Feb. 5, 2020 On the 4 th and 5th of February 2020, in Montpellier (France), at the premises of LIRMM, CNRS the Kick-off meeting of NeurONN took place. All the
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As process nodes continue to shrink, the requirement for additional physics-based simulation is gradually creeping into each stage of the design process. By way of illustration, Technology Computer Aided Design
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IEDM is THE device conference with more than a thousand participants from major companies and R&D institutes. Many talks were dedicated to new memory devices and circuits, including Ferroelectrics, MRAM,
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CMOS: Mixed-Signal Circuit Design, Second Edition R. Jacob Baker. Published Wiley-IEEE Press, 2nd Edition. Published 2009, pp. 330 ISBN 978-0-470-29026-2 Understanding Modern Transistors and Diodes David L. Pulfrey, Cambridge University
7 years ago
本ウェビナーでは、セレクト・ゲート・トランジスタに注目した3次元NANDメモリ・セル動作の最適化で、TCADプロセスおよびデバイス・ソフトウェアをどのように利用できるかを紹介します。
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The IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) is the world’s preeminent forum for reporting technological breakthroughs in the areas of semiconductor and electronic device technology, design, manufacturing, physics, and modeling.
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本ウェビナーでは、ドリフト拡散法を使用して4ケルビンから100ケルビンの温度でシリコン・デバイス動作をシミュレーションする場合に発生する問題について考察します。
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本ウェビナーでは、シルバコのTCADツールの概要を説明します。ここでは、シルバコのワイドバンドギャップ材料向けプロセス/デバイス・シミュレーションの機能を紹介します。さらに、SiC JBSダイオードおよびGaN FETなど、さまざまな実例について実演し考察します。
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The power electronics (PE) market is growing rapidly, driven by the accelerating demand of EV and HEV vehicles. Power devices lend themselves to design and manufacturing innovations at the transistor-level