Victory TCADソリューションを使用したReRAMのスイッチング解析
配信開始日: 2020年6月5日
フラッシュなど、従来の不揮発性メモリ・テクノロジのスケーラビリティは、物理的限界に近づいています。このことが、新しいストレージ・デバイスの需要を生み出し、抵抗スイッチングの概念は、業界の関心を引きつけています。OXRAMやCBRAMなどのReRAMテクノロジーは、その低消費電力、高い耐久性、速いスイッチング・タイムにより、有望な候補として出現しました。TCADシミュレーションを使用して抵抗スイッチングの背後の化学プロセスを調査することにより、これらのデバイスの理解を深めることができます。これによりスイッチング動作の制御に重要な要素を特定することが可能になり、開発スケジュールを大幅に短縮することが可能になります。ここでは、シルバコのVictory DeviceシミュレータのChemistry Moduleをベースとする、包括的で柔軟なReRAMモデルをご紹介します。
プレゼンタ
Wolfgang Goes博士は、シルバコのTCAD DivisionのSenior Software Development Engineerです。主にVictory Device TCADソリューション業務に携わっており、トラップモデルの開発および実装、信頼性の問題、およびメモリ・テクノロジを取りまとめています。2016年にシルバコに入社する以前は、ウィーン工科大学のInstitute for Microelectronicsで、博士研究員として、マイクロエレクトロニクス・デバイスの信頼性の課題に重点的に取り組んでいました。
Goes博士は、ウィーン工科大学でTechnical Physicsの修士号および電気工学の博士号を取得しています。
[日本時間]
開催日: 2020年6月5日
配信: オンライン
開催時間: 2:00-2:30 JST
言語: 英語
対象
ReRAMストレージ・テクノロジに興味をお持ちのエンジニア、マネージャ、および研究者