Victory TCAD 솔루션을 사용한 Resistive RAM 스위칭 분석
플래쉬 메모리와 같은 기존의 비휘발성 메모리 기술은 이제 물리적인 확장성에 있어서 한계를 드러내고 있습니다. 이는 새로운 저장 소자에 대한 수요를 만들고 있습니다. 저항성 스위칭의 개념은 업계의 이목을 끌어왔습니다. OXRAM과 CBRAM 등의 ReRAM 기술은 낮은 전력 소비, 높은 내구성, 빠른 스위칭 등으로 두각을 나타내고 있습니다. 이러한 소자에 대한 이해를 높이기 위해, TCAD 시뮬레이션을 사용하여 저항성 스위칭 이면의 화학적 프로세스를 연구할 수 있습니다. 이를 통해 스위칭 동작을 제어하는 핵심 요인을 파악할 수 있으며, 개발 일정을 크게 단축할 수 있습니다. 실바코의 Victory Device 시뮬레이터에 있는 Chemistry Module에 기초하여, 포괄적이고 유연한 ReRAM 모델을 제시합니다.
발표
Wolfgang Goes 박사는 실바코 TCAD 부문의 선임 소프트웨어 개발 엔지니어입니다. 주로 Victory Device TCAD 솔루션을 맡고 있으며, 트랩, 신뢰성 문제, 메모리 기술에 대한 모델의 설계 및 구현을 담당하고 있습니다. 실바코에 2016에 입사하였으며, 오스트리아 빈 공과대학의 마이크로일렉트로닉스 연구소에서 박사 후 연구원으로서, 소자의 신뢰성 문제에 매진하였습니다.
Goes 박사는 빈 공과대학에서 기술 물리학 석사 및 전기공학 박사를 취득하였습니다.
일시: 2020년 6월 5일
장소: 온라인
시각: 2:00am-2:30am (한국 시각)
언어: 영어
참석 대상
ReRAM 저장 기술에 관심있는 엔지니어, 경영진 및 학생.