シルバコとALMAコンソーシアム・パートナー、熱管理プロジェクトで326万ユーロの助成金を獲得
英国ケンブリッジ州セント・アイヴス発 ― 2015年9月1日 -Silvaco Europe, Ltd. (シルバコ・ヨーロッパ) は本日、欧州 (EU) 研究・イノベーション・フレームワーク・プログラム (2014年～2020年)「Horizon 2020」の一環であるプロジェクトALMAに関して、同社とALMAコンソーシアムが欧州委員会により326万ユーロを授与されたと発表しました。
産総研、SiCパワー半導体研究にシルバコのTCADを採用
横浜発 – 2015年8月25日 -株式会社シルバコ・ジャパン（以下シルバコ）は、国立研究開発法人 産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター（所在地：茨城県つくば市、以下産総研）が、SiCパワー半導体の研究にシルバコのTCADツールを採用したことを発表しました。
立命館大学、シルバコの教育機関向けライセンスを採用
横浜市発 - 2015年4月22日 -株式会社シルバコ・ジャパン（本社：神奈川県横浜市、以下シルバコ）は、立命館大学（所在地：滋賀県草津市野路東、以下立命館）が理工学部の電子情報工学科のカリキュラムにシルバコのアナログEDAツールを採用したと発表しました。
a-Si TFTにおけるリーク電流のTCADキャリブレーション
このウェビナーでは、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-Si TFT)において、TCADシミュレーションを測定データと比較する場合に用いるキャリブレーションの手順を詳細に取り上げます。
SiCおよびSiパワー･デバイスのTCADからSPICEに至るシミュレーション
このウェビナーでは、パワー・デバイスの設計、シミュレーションおよび性能最適化をTCADとSPICEシミュレーションにより行う手法について取り上げます。
シングルイベント効果のモデリングと解析
このウェビナーでは、放射線効果を専門とするエンジニアがシングルイベント効果(SEE)とそれらがデバイスや回路に及ぼす影響のモデリングを行う場合に使用する手法を取り上げます。