iDEAL Semiconductor、次世代高効率パワー・デバイスの開発にシルバコの Victory TCADソリューションを採用
カリフォルニア州サンタクララ発 – 2021年9月2日 – Silvaco Group, Inc.(以下シルバコ)は、本日iDEAL Semiconductorが、次世代の高効率パワー・デバイスの研究開発を加速するために、シルバコのVictory TCAD ソリューションを採用したことを発表しました。
エントリー - Gigi Boss
Designing with Silvaco’s Octal SPI Memory Controller with Advanced Memory Support for IoT Systems
2021/9/10 2:00 am – 2:30 am (JSD)本ウェビナーでは、モバイルやIoTアプリケーションをターゲットとする「SPI」(Serial Peripheral Interface)信号を使用するメモリ・デバイスに焦点を当てます。
Silvaco SmartSpice 2021 – Top 10 New Features in the Baseline Release
2021年8月20日 2:00-2:30 JST
本ウェビナーでは、この1年間にSmartSpiceチームが実現した新機能や改善点のうち、トップ10をご紹介します。
2021 TCAD Baseline Release
New Features in 2021 Baseline Release:
- Section 1: Process Simulation
- Section 2: Device Simulation
- Section 3: Victory Mesh
- Section 4: Parasitic Extraction
100X Faster Nano Device Atomistic TCAD Simulation with Victory Atomistic
2021年8月6日 2:00-2:30 JST
本ウェビナーでは、シルバコTCADツールの一つであるVictory Atomistic(VA)のシミュレーション機能を紹介します。
Simulation of Silicon and Perovskite Based Tandem Solar Cells Using TCAD
3端子の高効率タンデム・モデルにおけるIBCモデルとPSCモデルの統合について説明するとともに、2端子および3端子のソリューションについて回路設計の観点から検討し、そのメリットとデメリットについて議論します。最後に、単接合バンドギャップ太陽電池の効率限界を超えるタンデム太陽電池の設計を紹介します。
An Introduction to Meshing in Victory Process
Victory Process (VP) uses two types of mesh to represent the structure:
• The geometry mesh, which is used to represent the material regions.
• The volume mesh, which is used to represent the volume data (doping etc).
Achieve Your Display Design Performance Edge Through Precision Parasitic Extraction
ますます厳しくなる設計ルールや非平坦な表面形状は、従来のルールベースによる抽出ツールを使用する設計者のイノベーションに対する選択肢を制限してしまいます。シルバコのHipex-FSは、現実的な3Dプロセス・シミュレーションを駆使することで、設計者がパフォーマンスとイノベーションの限界を見つけるのに役立ちます。
Achieving Extreme Low Power IoT Designs with Silvaco’s 55LPx Foundation IP Solution
本ウェビナーでは、シルバコのLow Power Foundation IPの概要と、低消費電力設計に役立つ手法やテクニックをご紹介します。
超低消費電力のための酸化物半導体LSI技術とSPICEモデル
本ウェビナーでは株式会社半導体エネルギー研究所(SEL)が 開発した結晶性酸化物半導体CAAC-IGZOⓇ FET (c-axis aligned crystalline indium-gallium-zinc oxide FET) の紹介とSELとシルバコが共同で開発した CAAC-IGZO FET のSPICEモデルをご紹介します。