Simulation Standard

功率MOSFET动态测试

21 9 月, 2025

本文演示了如何应用Silvaco TCAD工具套件，对平面型碳化硅MOSFET（DMOS）实现从工艺制程到电路分析的全流程仿真。

阻抗场与低信号噪声

15 8 月, 2025

低信号电气噪声不可避免，其成因在于器件内部过程的随机波动，例如热波动导致的载流子密度微观变化，以及产生-复合速率的统计波动。此类噪声可能干扰电路预期行为，因此建模器件产生的噪声至关重要。了解噪声在器件中的具体产生位置亦具有重要意义，这有助于设计低噪声器件。Victory Device采用阻抗场法进行噪声计算。

在 Victory Process 的蒙特卡洛离子注入中使用 Trajectory Replication

15 8 月, 2025

Victory Process中的蒙特卡洛离子注入是固体结构的工艺仿真中实现物理上精确的浓度分布的重要工具。该蒙特卡洛算法通过模拟粒子从注入窗口进入用户所定义的结构后的运动路径进行建模工作。粒子在结构内移动时，通过与材料相互作用不断损失能量，直至停止运动或发生背散射。要获得统计波动较小且浓度分布连续（平滑）的结果，通常需要耗费大量计算时间。Trajectory Replication的目标是通过将粒子在结构某区域的运动路径复制到其他区域，在保持浓度分布平滑度的同时有效减少总体计算时间。为实现物理上精确的结果，复制操作必须满足明确定义的条件，本文将对相关条件进行阐述。在具体介绍复现流程的细节之前，我们将先讨论蒙特卡洛离子注入程序中的若干重要概念。

A New CMOS Simulation Template: Addressing Advanced Diffusion and Annealing Effects

26 2 月, 2025

As the scaling of CMOS devices continues, the accuracy requirements for simulating ion implantation and diffusion processes have become increasingly stringent.