SiC、GaN、Siパワーデバイスの超高速開発を可能にする
シルバコ社のVictory TCADソリューション
炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、シリコンなどのワイドバンドギャップ半導体は、自動車、5G、産業、民生、高性能コンピューティング、航空宇宙、防衛市場の要求に応えて、パワーデバイスの急速な変化を推進しています。
シルバコのTCADを利用したパワーデバイス開発およびモデリング・ソリューションは、開発期間とコストを大幅に削減し、市場投入までの時間を短縮するための鍵になります。
パワーデバイス
シリコンカーバイドとシリコン
RFパワーデバイス
窒化ガリウム
SiCおよびシリコンパワーデバイスの開発については、Victory TCAD SiC and Silicon Development Overviewをご覧ください。
GaNパワーデバイスの開発については、Victory TCAD GaN Development Overviewをご覧ください。
パワーデバイス開発の概要
パワーデバイスの技術開発とモデリングにTCADを利用すると、デバイス・エンジニアは、開発中に動作条件やデバイス技術、あるいは半導体技術を仮想的に変更することができます。これにより、開発対象のパワーデバイスを定性的に、さらには定量的に理解することができます。そして、シミュレーションを繰り返すことで、デバイスの性能と動作パラメータを最適化し、量産に必要な時間とコストを劇的に削減することができます。
TCAD開発フロー
プロセス
Victory Processは、プロセス・フローを仮想化
バーチャル・ファブリケーションで次世代パワーデバイスを最適化
完全な2D/3D TCADプロセス・シミュレーションとエミュレーション・ソリューション
- フロー構築、デバッグ、キャリブレーションを高速な2Dで実現
- 3D技術設計のためのリアルな3Dシミュレーションへ容易に移行
- デバイス・シミュレーションへのシームレスな統合
SiC、GaN、およびSiのプロセス・シミュレーション
- エッチング＆デポジション
- イオン注入
- ドーパント活性化
- 酸化
- ストレス
- オープン・モデル・ライブラリと材料データベース
モデリングとSPICEシミュレーション
Utmost IVは、高速かつ高精度なSPICEモデル生成を実現します。
SmartSpiceは、高精度なシミュレーション結果を提供します。
Utmost IVは、SPICEモデルの抽出と検証を行います。
- TCADフロー統合
- SPICEパラメータの最適化
- SmartSpiceエンジンが高速かつ正確なシミュレーションを実現
- 様々なコンパクト・モデルを利用可能
- あらゆる複雑さを持つ階層型マクロモデルの対応
- 複数の温度、ウェハ、ダイ、デバイスに対応
- DC、キャパシタンス、Sパラメータ、および抽出データ（Vt、Idsat、ftなど）の混在に対応
- デバイスモデル・パラメータとネットリスト・パラメータの任意の組み合わせに対応
SmartSpice Rubberbandによるトランジェント・パラメータのチューニング
- タイムベースデータの使用
- ゲート電荷、ミラープラトーのチューニング
- 逆回復時間、電荷パラメータ（trr, Qrr)
