How to Use Device Simulation as a Tool for Understanding GaN HEMTs
配信開始日: 2022年2月27日
GaNベースのデバイスは、優れた材料特性により、RFおよびパワー・スイッチング・アプリケーションの双方において非常に魅力的なデバイスです。基本原理はよく理解され、デバイス・シミュレータで正確に再現できるようになりましたが、理解が進んでいない重要な側面はまだ多くあり、活発な研究が続けられています。
本ウェビナーでは、デバイス・シミュレーションが、RFデバイスとパワーデバイスの両方において、デバイスの不安定性を制限する複雑な性能の説明に役立つ強力なツールであることを、いくつかの公開論文を例に説明します。特に、GaN-on-Siパワー・スイッチにおける動的なオン抵抗、GaN HEMTエピタキシーにおける永続光伝導、FeドープGaN HEMTにおけるトランスコンダクタンスの分散に重点を置いて説明します。
内容
- GaN HEMTとは何か、どこに使われているか
- なぜバッファ層が必要なのか
- GaN-on-Si パワー・スイッチング・バッファを理解する
- GaN HEMTエピタキシーにおける永続光伝導
- RF GaN-on-SiC HEMT トランスコンダクタンスの分散
プレゼンタ
Michael Uren氏は、英国のブリストル大学にある the Centre for Device Thermography and Reliabilityの研究教授で、40年以上に渡るデバイス物理学の経験があります。ケンブリッジ大学でSi MOSFETの電子輸送に関する物理学の修士号および博士号を取得後、米国のヨークタウンハイツにあるIBMでポスドクを勤めました。英国RSREマルバーン（現QinetiQ）にてSOI CMOS、ランダム・テレグラム・ノイズ、1/fノイズ、界面トラッピングに関する研究を行い、その後、SiC RFパワーMESFET、GaN SバンドおよびXバンドMMICプロセスの導入に成功しました。2011年にMartin Kuball教授のチームに加わるためブリストルに移り、GaNとGa2O3デバイスにおいて電気特性の研究を指導してきました。最近はデバイスの性能に及ぼすエピタキシの役割に興味を持っています。
対象:
IP、デバイス、回路、CAD、SoCそしてシステム・デザインの技術者、プロダクト・マネージャおよびエンジニアリング・マネージャ
[日本時間]
開催日: 2022年2月25日
配信: オンライン
開催時間: 3:00-3:30 JST
言語: 英語