SmartSpice RadHard 放射線効果シミュレータ

SmartSpice RadHard™アナログ回路シミュレータは、シングル・イベント効果(SEE)や線量率(DR)による放射線効果のモデリングおよび解析のシミュレーションを可能にします。商業用のSmartSpiceアナログ回路シミュレータに基づき構築され、最新の電子機器の設計、分析や、最先端の半導体技術における解析に要求される精度、機能および性能を備えています。

特長

過渡解析およびDC解析のための.RADステートメントを使用した正確な線量率(DR)、SEEの解析を提供
業界で実績のあるSmartSpiceシミュレータの拡張機能として開発
修正Wirth & Rogersモデルや、オプションのユーザ定義モデルを用いてDRを解析
シングル・イベント・アップセット(SEU)およびマルチ・ビット・アップセット(MBU)を、修正Messengerモデルや、オプションのユーザ定義モデルで解析可能
高度な回路最適化により、設計の放射線耐性を向上させ、システム仕様を満たすために必要な設計トレードオフの複雑な解析が可能
バルクCMOS、SOI、バイポーラ、BiCMOSプロセス用の標準的なファウンドリ提供のHSPICE®, PSPICE®, SmartSpiceモデルをサポート
オープンなモデル開発環境とVerilog-Aオプションによるアナログ・ビヘイビア機能の拡張
カスタム・モデルやシミュレータ制御の高度なwhat-if機能により、新しい現象や新現象の研究をサポート
SmartSpice RadHardは、プロセス・モデリング、デバイス・シミュレーション、回路解析、物理レイアウト、チップ寄生効果を結びつけるシルバコ放射線ツールフローに完全に統合されており、放射線や信頼性への影響を評価するための高い物理ベースの環境を提供