Silvaco TCAD解决方案助力GaN功率器件的设计和开发
经过过去二十年的研究，横向GaN宽禁带功率器件目前正逐渐走向商业成熟，可用于高达650V的功率电子开关。然而，它们尚未达到材料的理论极限，尤其是在RDS_ON × A vs. VBr方面，主要原因之一是需要在阻断强度、分散增加和GaN在Si衬底上的垂直阻断强度之间进行权衡。
有两种应对这些挑战的器件技术值得讨论：垂直GaN器件和具有AlN缓冲层的超宽带隙横向HFET器件。垂直GaN晶体管因其较小的晶片“占地面积”而备受欢迎，与横向HFET相比，RDS_ON × A低了一个数量级，降至1.0 mΩ·cm²。此外，无应力同质外延层的生长支持厚漂移层的生长，背景杂质掺杂较少，用于超过1 kV的阻断能力。
基于物理的仿真工具对于FBH实验室研究和开发新一代宽带隙电子器件至关重要。在本期课程中，我们将举例说明Silvaco仿真工具如何帮助研究人员设计、预测和分析垂直和横向GaN功率器件的电特性。
我们将探讨GaN fin MISFET的电导特性，并与实验结果进行比较；通过改变几何尺寸和外延层性质，分析了电导特性；利用雪崩模型，仿真了垂直GaN器件中的边缘终端拓扑结构，与实验和理论值进行了比较。
最后，使用针对器件外延结构特定的雪崩模型，深入研究了AlN/GaN横向HFET中的捕获和去捕获效应，从而解释了动态ON态电阻的特殊性。
您将学习到：
- 垂直GaN fin-MISFET沟道电导
- Fin几何形状和外延设计
- 垂直GaN器件漂移区域和边缘端接设计
- 用于高压开关的横向AIN / GaN / AlGaN HFET
- 深入了解捕获和去捕获效应
讲师简介
Eldad Bahat-Treidel博士，高级科学家，德国FBH研究所
Eldad Bahat-Treidel于1996年和2004年分别取得以色列Ben Gurion大学化学工艺工程学士学位和电光工程硕士学位，于2012年取得德国柏林工业大学电气工程博士学位。1996年，加入Intel担任工艺工程师；2004年，加入Tower担任高级研发工程师；2006年，加入了位于柏林的FBH研究所，开始研发高电压功率电子应用中的GaN开关晶体管。自2014年以来，他一直从事GaN垂直晶体管的创新电子器件研发工作。
建议参会人员：
半导体器件和工艺工程师、产品经理和工程管理人员。
时间:
圣克拉拉时间：
2024年2月29日 10:00 – 10:30
巴黎时间：
2024年2月29日 11:00 – 11:30
北京时间：
2024年2月29日 10:00 – 10:30
地点: 线上
语言: 英文