利用TCAD与基于物理的数字孪生技术加速氮化镓（GaN）器件设计
氮化镓（GaN）凭借其卓越的效率、性能和热特性，正在推动功率电子、射频系统和高频应用领域的创新。本次网络研讨会将首先探讨 GaN 的关键应用优势，为深入介绍 Silvaco 的 Victory TCAD 工作流程如何实现 GaN 设计与优化奠定基础。
我们将通过针对 GaN 技术定制的模型，展示 Victory TCAD 如何实现精确的工艺和器件仿真，并结合 p-GaN HEMT 和垂直型 GaN HEMT 器件等实际应用案例进行说明。参会者还将了解到 Victory 实验设计（DoE）和 Victory Analytics 如何通过数字孪生技术实现快速设计探索与优化。最后，我们将通过 Utmost IV 的 SPICE 建模将器件级仿真与电路设计相连接，从而完成从 GaN 概念到系统级验证的完整路径。
您将了解：
- 氮化镓（GaN）器件的性能优势与应用领域
- Silvaco Victory TCAD 工作流程如何实现精确的 GaN 工艺与器件仿真
- p-GaN HEMT 和垂直型 GaN HEMT 器件等实际应用案例
- 如何运用 Victory 实验设计（DoE）与 Victory Analytics 加速设计优化进程
- 如何通过 Utmost IV 的 SPICE 建模实现 TCAD 与电路级仿真的无缝衔接
报告人
Udita Mittal，现场应用工程师
Udita Mittal于2019年加入Silvaco TCAD部门担任现场应用工程师，常驻印度办事处。在加入Silvaco之前，她就读于纽约罗彻斯特理工学院，并获得微电子学硕士学位。她主要负责支持工艺仿真的TCAD应用，为各类技术领域的制造工艺仿真提供培训与用户支持，尤其专注于宽禁带（WBG）器件领域。Udita在传统与非传统器件仿真方面具有丰富经验，曾从事基于原子建模的材料表征及二维器件仿真工作。
建议参会人员：
工艺工程师、仿真工程师、晶圆厂工程师、产品经理和工程管理人员。