Feb 23 webinar

Victory Process中CMOS技术的建模框架

2025年2月27日 随着CMOS器件的不断微缩，器件尺寸越来越小，简单的杂质离子扩散模型已经没法实现精确的仿真。
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如何利用 Victory Analytics 和机器学习校准 TCAD 数据

2024年12月12日 在本次研讨会中，我们将为您展示一种 ML 和 TCAD 相结合的策略，深入校准 TCAD 参数，使得 TCAD 仿真结果与实验数据更一致。
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如何以原子级精度仿真二维TMD沟道FET？

2024年9月26日 在本次研讨会上，我们将为您介绍仿真软件Victory Atomistic，它以量子力学理论为基础，为专业TCAD环境中的二维晶体管原型开发提供了有力的支持。
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美光科技：如何利用Silvaco的FTCOTM平台进行存储技术的开发和制造

2024年8月29日 在本次网络研讨会上，我们将为您介绍美光科技如何利用Silvaco的FTCOTM（Fab Technology Co-Optimization）平台来优化半导体工艺，以开发和制造先进的存储器。
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将人工智能应用于FTCOTM

2024年7月25日 FTCO基于实际生产工艺中的物理和化学机制，利用人工智能（AI）和机器学习（ML）生成精确的TCAD数字模型（数字孪生）。对于这种数字孪生模型，可以采用DoE方法进行测试和分析，而无需真实流片，从而大大节省了制造相关的时间和费用。
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意法半导体：如何使用Silvaco TCAD研究表面缺陷点对SiC器件短路现象的影响

2024年3月28日 在打开和关闭SiC器件时，器件容易出现异常过载，因此在一些应用中对器件“鲁棒性”有要求，例如需进行短路测试和UIS测试。在本次研讨会中，来自意法半导体的研发人员将为大家介绍如何使用Silvaco TCAD软件对SiC器件短路现象进行研究。
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Silvaco TCAD解决方案助力GaN功率器件的设计和开发

2024年2月29号 我们将举例说明Silvaco仿真工具如何帮助研究人员设计、预测和分析垂直和横向GaN功率器件的电特性。
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Si、GaN和SiC功率器件的SPICE建模

2024年2月8号 我们将为您介绍不同制造工艺的功率器件，包括Si、GaN和SiC器件，分析它们的特点和优势，并分享其SPICE建模的各种方法和挑战。
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Learn How to Use Victory Process TCAD Geometric Etch Models in FinFET and Memory Applications

May 18, 2023 In this webinar, we present geometric etch models in the context of FinFET and memory applications. We demonstrate techniques to realize fin shaping, non-ideal etch profiles (bowing, twisting), and self-aligned processes (multi-patterning).
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Learn How TCAD is a Key Enabler for Photodiode Development

February 23, 2023 In this webinar, Sungwon Kong will discuss these technologies and how TCAD can be broadly applied to multiple detector topology and material sets, thereby enabling multiple end-user markets.