如何使用Silvaco TCAD进行硅基器件3D仿真
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Victory Process中CMOS技术的建模框架
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如何以原子级精度仿真二维TMD沟道FET？
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将人工智能应用于FTCOTM
2024年7月25日
FTCO基于实际生产工艺中的物理和化学机制，利用人工智能（AI）和机器学习（ML）生成精确的TCAD数字模型（数字孪生）。对于这种数字孪生模型，可以采用DoE方法进行测试和分析，而无需真实流片，从而大大节省了制造相关的时间和费用。
意法半导体：如何使用Silvaco TCAD研究表面缺陷点对SiC器件短路现象的影响
2024年3月28日
在打开和关闭SiC器件时，器件容易出现异常过载，因此在一些应用中对器件“鲁棒性”有要求，例如需进行短路测试和UIS测试。在本次研讨会中，来自意法半导体的研发人员将为大家介绍如何使用Silvaco TCAD软件对SiC器件短路现象进行研究。
Silvaco TCAD解决方案助力GaN功率器件的设计和开发
2024年2月29号
我们将举例说明Silvaco仿真工具如何帮助研究人员设计、预测和分析垂直和横向GaN功率器件的电特性。
Si、GaN和SiC功率器件的SPICE建模
2024年2月8号
我们将为您介绍不同制造工艺的功率器件，包括Si、GaN和SiC器件，分析它们的特点和优势，并分享其SPICE建模的各种方法和挑战。
Learn How to Use Victory Process TCAD Geometric Etch Models in FinFET and Memory Applications
May 18, 2023
In this webinar, we present geometric etch models in the context of FinFET and memory applications. We demonstrate techniques to realize fin shaping, non-ideal etch profiles (bowing, twisting), and self-aligned processes (multi-patterning).