如何使用Silvaco TCAD进行硅基器件3D仿真
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Victory Process中CMOS技术的建模框架
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如何以原子级精度仿真二维TMD沟道FET？
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将人工智能应用于FTCOTM
2024年7月25日
FTCO基于实际生产工艺中的物理和化学机制，利用人工智能（AI）和机器学习（ML）生成精确的TCAD数字模型（数字孪生）。对于这种数字孪生模型，可以采用DoE方法进行测试和分析，而无需真实流片，从而大大节省了制造相关的时间和费用。
意法半导体：如何使用Silvaco TCAD研究表面缺陷点对SiC器件短路现象的影响
2024年3月28日
在打开和关闭SiC器件时，器件容易出现异常过载，因此在一些应用中对器件“鲁棒性”有要求，例如需进行短路测试和UIS测试。在本次研讨会中，来自意法半导体的研发人员将为大家介绍如何使用Silvaco TCAD软件对SiC器件短路现象进行研究。
Silvaco TCAD解决方案助力GaN功率器件的设计和开发
2024年2月29号
我们将举例说明Silvaco仿真工具如何帮助研究人员设计、预测和分析垂直和横向GaN功率器件的电特性。