Si、GaN和SiC功率器件的SPICE建模
在本期课程中，我们首先将概述不同制造工艺的功率器件，包括Si、GaN和SiC器件，分析它们的特点和优势。
然后，将分析功率器件SPICE建模的各种方法，包括紧凑模型和宏模型。尤其是功率FET建模，我们将分析如何正确处理它们特定的依赖于偏置的电容，以及如何根据动态特性调整模型。
最后，我们将分享功率器件领域的独特挑战，如寄生元件和模型的精确性等方面。
您将学习到：
- GaN和SiC FET的SPICE模型
- 特定功率FET电容建模
- 通用功率FET模型提取方法
- 基于TCAD的SPICE建模的优势
- Si、GaN和SiC器件的SPICE建模示例
讲师简介
Bogdan Tudor博士，器件特征化总监
Bogdan Tudor是Silvaco器件特征化负责人，领导着Utmost和Modeling Service团队。Bogdan Tudor在模型开发和特征化软件方面拥有超过20年的经验。
建议参会人员：
半导体器件和工艺工程师、产品经理和工程管理人员。
时间：
圣克拉拉时间：
2024年2月8日 10:00 – 10:30
巴黎时间：
2024年2月8日 11:00 – 11:30
北京时间：
2024年2月8日 11:00 – 11:30
地点：线上
语言：英文