작성자: Gigi Boss
저자는 아직 경력을 작성하지 않았습니다.
하지만, Gigi Boss 씨는 무려 307 항목에 기여한 것을 자랑스럽게 생각합니다.
엔트리 Gigi Boss
SK 파워텍, 차세대 SiC 전력 소자 개발에 실바코의 Victory TCAD 솔루션 채택
6월 6, 2023카테고리: News /작성자: Gigi Boss2023년 6월15일
실바코, DAC 2023 참가
5월 23, 2023카테고리: News /작성자: Gigi Boss2023년 5월 24일
FinFET 및 메모리 애플리케이션에서 Victory Process TCAD 기하학적 식각 모델 활용
4월 24, 2023카테고리: TCAD Webinars /작성자: Gigi Boss2023년 5월 19일 2:00am-2:30am (한국 시각)
이번 시간에 FinFET 및 메모리 애플리케이션이라는 면에서 기하학적 식각 모델을 제시합니다. 핀 형상 구성, 이상적이지 않은 식각 프로파일 (bowing, twisting) 및 자체 정렬 공정 (다중 패턴화)을 실현하기 위한 기술을 소개합니다.
Simulation Framework for Device-packaging Co-design for Power Electronics
4월 19, 2023카테고리: Simulation Standard /작성자: Gigi BossThe past several years has seen a fast deployment of wide-bandgap power devices in fast chargers, electric vehicles, data centers and renewable energy processing. The performance of power devices is fast progressing towards their intrinsic material limit. As these devices can handle higher voltage and larger current density, packaging and thermal management will become the key limiting factor for exploiting their benefits in power electronic converters and systems.
Understanding of Geometrical Boundary Conditions in Victory Process
3월 7, 2023카테고리: Simulation Standard /작성자: Gigi BossIt is common to run the process simulation for the part of a larger structure just to reduce the computation time. To account for the influence of parts of the structure outside the simulation domain, Victory Process makes assumptions about overall structure geometry.
SmartSpice를 활용하여 최신 TFT 기반 플랫 패널 설계
3월 7, 2023카테고리: SPICE Webinars /작성자: Gigi Boss2023년 3월 24일 2:00am-2:30am (한국 시각)
이번 시간에 SmartSpice의 독자적인 4단자 TFT 소형 모델을 채택한 경우의 장점에 대해 살펴보고, SmartSpice Flex Modeling 기술을 사용하여 화면 잔상 문제를 시뮬레이션하는 방법을 소개합니다.
Silvaco TCAD – Enabling Rapid Development of SiC and GaN Power Devices
2월 28, 2023카테고리: 분류되지 않음 /작성자: Gigi BossAutomatic Grid Refinement for Thin Material Layer Etching in Process TCAD Simulations
2월 9, 2023카테고리: Simulation Standard /작성자: Gigi BossThe utilization of thin material layers is common in modern semiconductor device fabrication. Subsequent etching steps require an accurate modeling of these thin layers. Although level-set based process TCAD simulations are capable of representing flat thin material layers with sub-grid accuracy, topographical changes during etching processes expose the low underlying grid resolution, which leads to detrimental artifacts.
TCAD – 포토 다이오드 개발의 핵심 요소
1월 23, 2023카테고리: TCAD Webinars /작성자: Gigi Boss2023년 2월 24일 3:00am-3:30am (한국 시각)
이번 시간에 포토 다이오드 기술을 소개하고, 다양한 검출기 토폴로지 및 물질 세트에 TCAD를 폭넓게 적용하는 방법에 대해 설명합니다.
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