如何使用Silvaco TCAD进行硅基器件3D仿真
欢迎参加我们的技术讲座，一起探讨如何通过Silvaco TCAD软件来增强用户针对硅基器件的3D仿真水平，包括先进逻辑FinFET器件、存储器件、射频SOI器件、硅基功率器件。
在本次研讨会中，我们将为您详细讲解如何使用Silvaco Victory Process仿真关键的工艺步骤，如刻蚀、沉积、注入和扩散，展示Victory Process在先进工艺中的丰富功能。您还将了解到Victory Device中的新模型以及如何建立准确的电学仿真以表征器件特性。更进一步地，我们还将为您演示Victory DOE如何帮助生成高效的实验设计（DOE），使用户能够系统地探索一系列设计变量，提升仿真效率。此外，还将介绍如何使用Victory Analytics帮助用户分析并优化仿真结果，从而改进设计并加快产品上市时间。
Silvaco TCAD全套仿真工具助力用户实现更高性能、更优设计的器件，无论您专注于FinFET、DRAM、NAND、RF SOI还是LDMOS等技术，本次研讨会都将对您有所增益。
内容概要
- Victory Process的最新模型与功能：先进3D逻辑FinFET与存储器件仿真
- Victory Device的最新模型与功能：先进3D逻辑FinFET仿真
- 硅基器件3D仿真的典型应用案例：FinFET、DRAM、NAND、RF SOI、LDMOS仿真
- 设计优化：使用Victory DOE与Victory Analytics改进设计，加速研发进程
讲师简介
李茂，TCAD FAE总监–先进CMOS
李茂拥有比利时鲁汶大学（KU Leuven）理学硕士学位。2015年至2016年，他在IMEC（比利时微电子研究中心）担任研究助理，参与二维材料MoS₂的早期研究，并完成了相关器件的制备与电学性能表征。2017年后，曾在中芯国际技术研发中心和海思研究部工作，专注于TCAD工艺与器件仿真，在先进逻辑器件仿真和DTCO（设计技术协同优化）分析方面积累了丰富经验。自加入Silvaco以来，他领导CMOS AE团队，为Foundry客户提供技术支持。
建议参会人员：
工艺工程师、工艺工程师、晶圆厂工程师、产品经理和工程管理人员。
地点: 线上
北京时间: 2025年5月15日 星期四，10:00 – 10:30
（语言：普通话）
圣克拉拉时间: 2025年5月15日 星期四，10:00 – 10:30
（语言：英文）
巴黎时间: 2025年5月15日 星期四，11:00 – 11:30
（语言：英文）