基于双脉冲法的IGBT开关仿真

减少开关损耗仍然是功率器件面临的重大挑战。测量开关参数以及评估Si、SiC、GaN MOSFET和IGBT动态表现的标准方法是双脉冲测试（DPT，Double Pulse Test），以确定开关次数、开关损耗，并确保正确的开关行为。在典型的DPT电路中，待测器件（DUT，Device Under Test）由IGBT和二极管两个器件组成，电感负载L用于模拟实际电路条件，电路还包含漏感Lσ和杂散电容Cσ。

我们将在本期为您介绍一种基于DPT的仿真方法，来研究IGBT器件的瞬态开关特性。它还提供了一套使用Silvaco TCAD仿真工具的标准模板，评估功率器件开关特性和性能，所用的仿真脚本可在2024基准版本中Silicon_Power_ex17找到。