工艺邻近效应补偿
经量产验证的第三代计算光刻解决方案套件
主要优势
- 全面、完整的第三代掩模图形综合解决方案，支持从零开始的构建中修正OPC（光学邻近效应修正，Optical Proximity Correction）
- 无可比拟的掩模制作周期，最低的总体拥有成本
- 高精度，易于使用
Silvaco PPC（工艺邻近效应补偿，Process Proximity Compensation）能够满足所有工艺节点中对高精度、快速周转时间和高灵活性的要求。PPC是第三代计算光刻解决方案套件，从成熟制程到最先进制程均已经量产验证，能够在硅片上实现每一层的最佳的蚀刻后CD精度和工艺窗口。
随着现有光刻设备能力与先进器件尺寸要求之间的差距不断扩大，传统的OPC与RET（分辨率增强技术，Resolution Enhancement Technology）方法已无法达到严苛的计算光刻目标。同时，受限于研发成本的上升和人力资源的限制，在维持上一代节点掩模制作周期的基础上，OPC团队还面临着进一步提升OPC建模精度的巨大挑战。为了提升精度、易用性并加速掩模制作周期，技术革新势在必行。
这正是PPC的价值所在——它提供了一个完整、系统的第三代掩模图形综合解决方案，专为实现构建中修正的OPC设计，拥有快速的掩模制作周期。
功能与特性：
- 业内领先的光刻、蚀刻与掩模模型，经过量产验证，具备极高的准确性
- 基于物理预测的工艺模型（PPM，Predictive Process Model），可严格反推图形形成工艺，结合专利优化技术，实现构建中修正的OPC
- 提供多区光源优化（Multiple-area Source Optimization）与光源掩模优化（Source Mask Optimization），配合混合型SRAF（辅助图形）布局方案，在给定景深（DOF）条件下最大化工艺窗口
- 支持GUI图形界面或脚本方式输入，灵活制定或优化工艺配方
- 所有掩模图形综合和验证步骤采用流水线式的分布式处理，可在通用硬件上运行，实现无可比拟的掩模周转时间和最低总体拥有成本