（中文研讨会）利用TCAD与基于物理的数字孪生技术加速GaN器件设计
氮化镓（GaN）凭借其卓越的效率、性能和热特性，正在推动功率电子、射频系统和高频应用领域的创新。本次网络研讨会将首先探讨 GaN 的关键应用优势，为深入介绍 Silvaco 的 Victory TCAD 工作流程如何实现 GaN 设计与优化奠定基础。
我们将通过针对 GaN 技术定制的模型，展示 Victory TCAD 如何实现精确的工艺和器件仿真，并结合 p-GaN HEMT 和垂直型 GaN HEMT 器件等实际应用案例进行说明。参会者还将了解到 Victory 实验设计（DoE）和 Victory Analytics 如何通过数字孪生技术实现快速设计探索与优化。最后，我们将通过 Utmost IV 的 SPICE 建模将器件级仿真与电路设计相连接，从而完成从 GaN 概念到系统级验证的完整路径。
您将了解：
- 氮化镓（GaN）器件的性能优势与应用领域
- Silvaco Victory TCAD 工作流程如何实现精确的 GaN 工艺与器件仿真
- p-GaN HEMT 和垂直型 GaN HEMT 器件等实际应用案例
- 如何运用 Victory 实验设计（DoE）与 Victory Analytics 加速设计优化进程
- 如何通过 Utmost IV 的 SPICE 建模实现 TCAD 与电路级仿真的无缝衔接
报告人
李栋良，资深工程师
硕士毕业于东南大学，主要参与功率、显示器件的技术支持与培训工作，在TCAD仿真和SPICE建模有10多年的工作经验。
建议参会人员：
工艺工程师、仿真工程师、晶圆厂工程师、产品经理和工程管理人员。
[北京时间]
时间: 2025年11月6日 10:00am CST
形式: 线上
语言: 中文