Victory Process中CMOS技术的建模框架
随着CMOS器件的不断微缩，器件尺寸越来越小，简单的杂质离子扩散模型已经没法实现精确的仿真。因为更小尺寸CMOS技术节点意味着器件结区更浅、掺杂区更小，瞬态扩散效应（TED）对于超浅结区的形成有非常重要的影响，进一步也会影响到最终器件的电学特性。所以，需要建立更为复杂全面的扩散模型，包含非平衡缺陷及其对扩散的影响机制，以及各种杂质原子的相互作用机制等，才能够准确仿真小尺寸CMOS器件。
内容概要
- CMOS 扩散模型的物理原理
- CMOS 扩散模型的特点
- 如何在仿真文档中使用 CMOS 扩散模型
- 一些使用 CMOS 模型的应用案例
讲师简介
Thomas Grenouilloux博士
Thomas的博士研究课题是使用Silvaco工具对致冷红外探测器HgCdTe的扩散工艺仿真研究，此后数年，他继续钻研该课题，在扩散领域积累了非常丰富且实用的经验。2021年，他加入Silvaco公司，参与Victory Process团队的CMOS扩散模型开发工作，主要负责的领域是扩散模型及其物理机制，包括模型开发和校准等。
建议参会人员：
工艺工程师、仿真工程师、晶圆厂工程师、产品经理和工程管理人员。
时间:
北京时间：
2025年2月27日 10:00 – 10:30
圣克拉拉时间：
2025年2月27日 10:00 – 10:30
巴黎时间：
2025年2月27日 11:00 – 11:30
地点: 线上
语言: 英文