如何以原子级精度仿真二维TMD沟道FET？
二维TMD沟道晶体管是硅的合适替代者吗？考虑到FET沟道已经缩小到几个原子层的程度，使用原子级的仿真解决方案势在必行。在本次研讨会上，我们将为您介绍仿真软件Victory Atomistic，它以量子力学理论为基础，为专业TCAD环境中的二维晶体管原型开发提供了有力的支持。
内容概要
- 简述二维TMD NR架构在原子尺度上的物理学和工程学
- 为什么使用原子级TCAD？
- 如何在原子级进行仿真和原型开发？
- 示例：二维TMD TFET
讲师简介
Philippe Blaise博士，Silvaco高级应用工程师
Philippe Blaise博士在Silvaco TCAD部门担任高级应用工程师已有三年，负责原子级仿真。在加入Silvaco之前，Blaise博士在CEA/LETI工作了15年，专注于新型存储器和晶体管的原子级仿真。他曾是IEEE IEDM建模与仿真委员会的成员，著有50多篇同行评审期刊论文，出席了30多次学术会议，拥有5项专利等。Blaise博士拥有法国ENSIMAG学校应用数学硕士学位和法国格勒诺布尔阿尔卑斯大学固态物理学博士学位。
建议参会人员：
TCAD工程师、器件工程师、工艺工程师、产品经理和工程管理人员。
时间:
北京时间：
2024年9月26日 10:00 – 10:30
圣克拉拉时间：
2024年9月26日 10:00 – 10:30
巴黎时间：
2024年9月26日 11:00 – 11:30
地点: 线上
语言: 英文