Silvaco at Upcoming Solid-State Conferences – ESSDERC 2020 and SISPAD 2020

Silvaco technologists and research partners will be participating in the ESSDERC/ESSCIRC 2020 joint conference for solid-state devices and circuits.  Tutorial #8, Ab-initio simulations supporting new materials & process developments, chaired by Denis Rideau (STMicroelectronics) and Philippe Blaise (Silvaco), includes a presentation by Dr. Tillmann Kubis of Purdue University. Dr. Kubis is working with Silvaco in the area of atomistic simulation.  He will present on  Atomistic Green’s functions: the beauty of self-energies.

Victory TCAD 솔루션을 사용한 Resistive RAM 스위칭 분석

2020년 6월 5일 | 2:00am-2:30am (한국 시각) 실바코의 Victory Device 시뮬레이터에 있는 Chemistry Module에 기초하여, 포괄적이고 유연한 ReRAM 모델을 제시합니다.

태양전지, 도파관, LED의 광전자 시뮬레이션

2020년 4월 24일 | 3:00am-3:30am (한국 시각) 시간 영역에서 실바코의 광학적 시뮬레이션 기능, 즉 FDTD(Finite Different Time Domain) 방법에 대해 개략적으로 설명합니다.

Accelerating Design with the Victory TCAD Suite

The Simulation Standard, Silvaco’s technical journal for semiconductor process and device engineers is beginning its 30th year of publication. The latest issue has just been released and it outlines a complete power device design flow using the Victory suite of TCAD simulation solutions – Victory Process, Victory Mesh, and Victory Device.

OLED 제작 시간과 비용을 절감하기 위한 다양한 규모의 플로우 시뮬레이션

2020년 4월 3일 | 2:00am-2:30am (한국 시각) 드리프트 확산 시뮬레이션은 다층 OLED 소자 연구에 폭넓게 적용할 수 있지만, 미시적인 방법은 소자 규모로 바로 변환할 수 없는 분자 속성을 계산하는 데에 주로 쓰입니다. 이번 시간에 소자 성능에 분자 속성이 미치는 영향을 분석하기 위해 미시적인 규모부터 TCAD 시뮬레이션에 이르는 자동화된 인터페이스 플로우를 제시합니다.

TCAD Simulations of RF-SOI Switches with Trap-Rich Substrate

The market for cellular components has been shifting rapidly from GaAs pHEMT or silicon-on-sapphire (SOS) to silicon-based technology. CMOS (silicon-on-insulator) SOI antenna switches which are compatible with multimode GSM/EDGE, TD/WCDMA, and LTE systems exhibit higher integration levels and have become the fastest growing mobile phone submarket. CMOS-SOI processes, especially with thin silicon, have the potential to rival the FoM that was traditionally feasible only with GaAs technologies.

Nanoscale Devices