
실바코, 마이크론 테크놀로지와 파트너십 확대 발표
2024년 4월 16일

STMicroelectronics, SiC 소자의 단락 현상에 대한 표면 결함 점의 영향 분석에 실바코 TCAD 활용
2024년 3월 28일
SiC 소자의 스위칭 동작 중에, 소자가 과부하 비정상 상태에 도달할 수 있으므로, 일부 애플케이션에서는 강력한 사양이 필요합니다 (예: 단락 회로 및 UIS 테스트). 믹스드 모드 회로에서 이러한 현상을 시뮬레이션할 수 있으며, 시뮬레이션과 실험 정보를 교환하여 시뮬레이션 파라미터의 정확한 튜닝을 통해 동적 단계에서 전기 열의 움직임을 예측할 수 있습니다. 단락 회로의 현상에 대한 연구를 예시로 살펴봅니다. 실바코의 TCAD 시뮬레이션으로 활성 영역에 한정된 결함의 단락 회로에 대한 영향을 연구하였습니다.

실바코, 아시아 영업망 확대 – 베트남 및 인도 대리점 지정
2024년 2월 8일

실바코, 유럽의 와이드 밴드갭 반도체 혁신 생태계인 GaN Valley™에 가입
2024년 1월 29일

실바코 TCAD 솔루션으로 GaN 기반 전력 소자 설계 및 개발
2024년 2월 29일
물리 기반 시뮬레이션 툴은 FBH 실험실에서 이러한 차세대 광대역 갭 전자 소자의 개발과 통찰에 필수적입니다. 이번 시간에 실바코 시뮬레이션 예시를 통해 수직 및 측방향 GaN 기반 전력 소자의 전기적 특성에 대한 설계, 예측, 분석을 살펴봅니다.

FinFET 및 메모리 애플리케이션에서 Victory Process TCAD 기하학적 식각 모델 활용
2023년 5월 19일 2:00am-2:30am (한국 시각)
이번 시간에 FinFET 및 메모리 애플리케이션이라는 면에서 기하학적 식각 모델을 제시합니다. 핀 형상 구성, 이상적이지 않은 식각 프로파일 (bowing, twisting) 및 자체 정렬 공정 (다중 패턴화)을 실현하기 위한 기술을 소개합니다.

TCAD – 포토 다이오드 개발의 핵심 요소
2023년 2월 24일 3:00am-3:30am (한국 시각)
이번 시간에 포토 다이오드 기술을 소개하고, 다양한 검출기 토폴로지 및 물질 세트에 TCAD를 폭넓게 적용하는 방법에 대해 설명합니다.

Victory Visual – 실바코의 TCAD용 시각화 솔루션
2022년 9월 23일 | 2:00am-2:30am (한국 시각)
이번 시간에 TCAD를 시각적으로 표현하기 위한 Victory Visual의 기능에 대해 살펴봅니다.

Victory Atomistic TCAD 솔루션을 통해 나노 크기 원자 소자의 프로토타입 구현
2022년 9월 9일 | 2:00am-2:30am (한국 시각)
이번 시간에, 초고밀도 전계효과 트랜지스터(FET) 기술에서 5nm 노드 이하의 최신 기술 아키텍처를 설계하기 위해 원자 규모 시뮬레이션이 필요하다는 점을 설명합니다. Victory Atomistic 솔루션을 상세히 살펴봅니다.

Victory TCAD 솔루션을 통해 FinFET 및 메모리 애플리케이션에서 정확한 실험 식각 프로파일을 효율적으로 달성
2022년 8월 12일 | 2:00am-2:30am (한국 시각)
이번 시간에, FinFET 및 메모리 애플리케이션에서의 기하학적 식각 모델을 제시합니다. 핀의 형성, 비이상적 식각 프로파일 (휘어짐, 비틀림), 자체 정렬 공정 (멀티 패터닝)을 실현하는 기술을 설명합니다.