실바코, 유럽의 와이드 밴드갭 반도체 혁신 생태계인 GaN Valley™에 가입

미국 캘리포니아 산타클라라, 2024-01-29

TCAD, EDA 소프트웨어 및 디자인 IP의 선도 기업인 실바코는 질화갈륨 (GaN) 전력 소자의 효율적인 설계를 통해, 고객이 Victory TCAD 플랫폼에서 혁신을 이룰 수 있도록 GaN Valley™에 가입하였습니다. 질화갈륨은 높은 전자 이동도로 알려진 와이드 밴드갭 반도체로서, 우수한 성능 특성에 의해 전력 전자 제품에 보편적으로 사용합니다.

GaN Valley™은 유럽의 질화갈륨 기술 허브입니다. 에너지 공급 및 전기 에너지의 효율성이 요구되는 소형, 경량, 저비용 전자 시스템의 성장 산업을 그 대상으로 합니다.

실바코의 Victory TCAD 플랫폼은 다양한 수치 해석, 물리적 모델, SPICE 모델 생성, 현대적인 GUI를 갖춘 포괄적 시뮬레이션 환경을 제공합니다. 혁신적인 전력 소자를 효율적으로 설계하고 성능을 최적화할 수 있어, 최신 GaN 기반 반도체 전력 소자에 특히 유용합니다. 다양한 툴과 방법론을 AI와 결합하여, 사용자에 친숙한 환경으로 설계 및 시뮬레이션 과정을 반복적으로 빠르게 수행할 수 있습니다.

GaN Valley™의 공동 설립자이자 BelGaN Foundry의 CTO인 Marnix Tack 박사는 “GaN 기술은 전력 반도체 시장에서 한 축을 담당하고 있으며, 2027년까지 시장 규모가 20억 달러에 달할 것으로 예상됩니다.”라고 이야기합니다. “GaN Valley™는 유럽에서 성장하고 있는 독특한 신규 생태계로서, 현재 약 60개 회원사가 활동하고 있습니다. GaN Valley™은 협업을 통해 유럽을 넘어, GaN 기반 산업의 혁신과 비즈니스 개발에 매진할 것입니다. GaN Valley™는 에너지 소비 감축 및 탄소 중립 미래로의 전환에 대한 GaN 기술의 중요성을 인식하고 있습니다. 혁신과 GaN 반도체 설계 툴 및 방법론의 발전을 위해 실바코의 가입을 환영합니다.”

실바코의 TCAD 사업부 수석 부사장 겸 GM인 Eric Guichard 박사는 “실바코는 오랜 동안 Victory TCAD 플랫폼을 통해 GaN 반도체 공정 및 소자 혁신을 목표로 TCAD 기술을 개발하였습니다.”라고 말합니다.

실바코

실바코는 첨단 반도체, 전력 IC, 디스플레이, 메모리, SoC 설계에 필요한 공정 및 소자 개발을 위해 TCAD, EDA 소프트웨어 및 반도체 설계 IP를 제공합니다. 미국 캘리포니아주 산타클라라에 본사를 두고 있으며, 북미, 유럽, 브라질, 중국, 일본, 한국, 싱가포르, 대만에 사무소가 있습니다
보도자료/미디어 담당:
press@silvaco.com

GaN Valley (www.ganvalley.org)

GaN Valley™는 질화갈륨 (GaN) 전문 기술 허브로서, 공급망의 모든 당사자들이 GaN 기술과 제품의 협업, 교육, 연구, 개발 및 혁신을 함께 하여, 시장 진입, 채택, 성장에 지원을 제공합니다.
Gan Valley 보도자료/미디어 담당:
Marleen.Polet@belgan.com