TCAD Simulation of Wide Bandgap Power Devices – English
This webinar will focus on simulation of silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN) and gallium oxide (Ga2O3) power devices.
ワイドバンドギャップ・パワー半導体デバイスのためのTCADシミュレーション
本ウェビナーでは、シリコンカーバイド、窒化ガリウム、酸化ガリウムに焦点をあて、そのシミュレーションについて解説します。
3Dメモリにおける物理エッチングのシミュレーション
このウェビナーでは、特に3Dメモリに焦点を当てて、物理エッチングのシミュレーション方法、メカニズム、モデルについての深い理解を提供します。
シリコン・パワー・デバイスの効率的な3次元TCADシミュレーション
このウェビナーでは、統合型3次元TCADプラットフォームによる縦型LOCOSトランジスタのシミュレーション、ならびにマルチセルIGBTにおける電流フィラメントについて解説します。
TCADとSPICEを駆使した太陽電池モデリング
このウェビナーでは、太陽電池とソーラーパネルのTCADからSPICEに至るシミュレーション・フローを概観し、またその関連の手法について紹介します。
a-Si TFTにおけるリーク電流のTCADキャリブレーション
このウェビナーでは、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ(a-Si TFT)において、TCADシミュレーションを測定データと比較する場合に用いるキャリブレーションの手順を詳細に取り上げます。
SiCおよびSiパワー･デバイスのTCADからSPICEに至るシミュレーション
このウェビナーでは、パワー・デバイスの設計、シミュレーションおよび性能最適化をTCADとSPICEシミュレーションにより行う手法について取り上げます。
シングルイベント効果のモデリングと解析
このウェビナーでは、放射線効果を専門とするエンジニアがシングルイベント効果(SEE)とそれらがデバイスや回路に及ぼす影響のモデリングを行う場合に使用する手法を取り上げます。