In this paper the critical design features of a SiC superjunction trench MOS device were optimized using CAD to obtain a high breakdown voltage while minimizing any unnecessary increase in channel resistance.
Conductive Bridge Random Access Memory (CBRAM) is a non-volatile memory device technology that can operate by consuming very low power. Another advantage of the CBRAM devices is its ability to be easily integrated into conventional back-end-of-line CMOS processes [1].
The qualification of GaN power high-electron-mobilitytransistors (HEMTs) must consider the device ruggedness against out-of-SOA (safe operating area) events [1- 3].
Dry etching is commonly used in semiconductor processing to generate deep trenches with good anisotropy. Dry etching is applied to many semiconductor technologies including Advanced FinFETs, 3D NAND, and vertical Silicon and Silicon Carbide power devices.
米国カリフォルニア州サンタクララ発 – 2020年9月9日 – EDAソフトウェアおよび設計IPのリーディング・サプライヤであるSilvaco Inc.(以下シルバコ)は本日、IP、特許、解析技術を含むCoupling Wave Solutions S.A.(以下CWS)の資産の買収を完了したことを発表しました。
精度向上のために新たに追加したパターンマッチモデルの効果について、3次元フィールドソルバ Clever、およびネットリスト比較ツールBelledonneを使用した効率的な確認手法をアナログレイアウトへの適用事例を交えご紹介します。
このウェビナーでは、独自の技術を持つSamsung Foundry PHY IP、 OPENEDGESのマルチ・プロトコル・コントローラ、シルバコのサブシステムIPをご紹介します。参加者は、新しいSoC設計でDDRメモリ・サブシステムのプラグ・アンド・プレイ・ソリューションを実現する方法を学ぶことができます。
米国カリフォルニア州サンタクララ発 – 2020年8月26日 –EDAソフトウェアおよび設計IPのリーディング・サプライヤであるSilvaco Inc.（以下シルバコ）は本日、SiCパワーデバイス、モジュール、エピタキシャル・ウェハの開発・製造を行うSemiQ Inc.（以下SemiQ）に、シルバコのTCADソリューションが採用されたことを発表しました。シルバコの優れた機能とサポートによって、他社製品からシルバコのVictory ProcessおよびVictory Deviceへ移行しました。
2020 TCAD Baseline Release
Section 1: Process Simulation – New Features in 2020 Baseline Release
2020 TCAD Baseline Release
Section 2: Meshing – New Features in 2020 Baseline Release