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Learn How to Efficiently Achieve Accurate Experimental Etch Profiles in FinFET and Memory Applications with Victory TCAD Solution
2022年8月12日 | 2:00-2:30 JST
本ウェビナーでは、FinFETとメモリデバイスへの適用を例に、これらの幾何学エッチング・モデルを紹介します。フィンの形状制御や、非理想的なエッチング形状（ボーイング、ツイスト）、セルフ・アライン・プロセス（マルチパターニング）を実現する技術を紹介します。
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TCAD
TCADはDTCOフローの一部として、レイアウト、プロセス、デバイス、SPICE、RC抽出など、複数の領域にわたる設計を改善します。
統合化されたDTCOフローの中で、TCADからSPICEへの完全なフローは、回路設計を最適化するための明確で実用的な結果をもたらします。
プロセス・シミュレーション
Victory Process 2D & 3D レイアウト・ドリブンなシミュレータ
TCAD プロセスシミュレーションは、新技術の開発や既存の半導体プロセスの維持に不可欠です。 製造プロセスを仮想化することで、企業は半導体プロセスの「デジタルツイン」を維持することができます。 プロセスの変更を十分に理解し、デバイスの性能を最大限に引き出し、製造歩留まりを向上させるとともに、エンジニアリングサイクルの回数とサイクルタイムを最小限に抑えることができます。