Learn How to Efficiently Achieve Accurate Experimental Etch Profiles in FinFET and Memory Applications with Victory TCAD Solution
配信開始日: 2022年8月14日
複雑なデバイス構造を生成するためにプロセス・シミュレーションを実行する場合、TCADエンジニアは、半導体製造において観察された正確なエッチング・プロファイルを再現するという課題に直面することがよくあります。シルバコのVictory Processは、顕微鏡画像（透過型電子顕微鏡など）に正確に一致するエッチング形状を効率的に実現するための幾何学モデルをいくつか提供しています。
本ウェビナーでは、FinFETとメモリデバイスへの適用を例に、これらの幾何学エッチング・モデルを紹介します。フィンの形状制御や、非理想的なエッチング形状（ボーイング、ツイスト）、セルフ・アライン・プロセス（マルチパターニング）を実現する技術を紹介します。
内容
- 顕微鏡画像で観察される正確なエッチング・プロファイルを実現する方法
- FinFETフローでフィン形状を再現するために、シルバコのVictory Processを効率的に使用する方法
- メモリアプリケーション（3D NAND）におけるトレンチとコンタクトホールへの幾何学エッチング・モードの適用方法
- シルバコのVictory Processの強力で適応性の高いETCH DRYおよびETCH POLYLINEコマンドの使用方法
プレゼンタ
Alexander Toifl, Development Engineer, Silvaco TCAD Division
シルバコTCAD事業部の開発エンジニアであるAlexander Toiflは、2021年にシルバコに入社以来、Victory Processのエッチング・モデルやデポジション・モデルに取り組んでいます。Alexander Toiflは、オーストリアのウィーン工科大学（TU Wien）で電気工学の博士号を、同大学でマイクロエレクトロニクスとフォトニクスの修士号を取得しています。
対象
プロセスTCADフローでエッチング・プロファイルを効率的に実現するソリューションをお探しのエンジニアや管理職の方。
[日本時間]
開催日: 2022年8月12日
配信: オンライン
開催時間: 2:00-2:30 JST
言語: 英語