シリコン・デバイスの極低温シミュレーション

本ウェビナーでは、ドリフト拡散法を使用して4ケルビンから100ケルビンの温度でシリコン・デバイス動作をシミュレーションする場合に発生する問題について考察します。

SiCおよび各種ワイドバンドギャップ材料:プロセス・シミュレーションからデバイス・シミュレーションまで

本ウェビナーでは、シルバコのTCADツールの概要を説明します。ここでは、シルバコのワイドバンドギャップ材料向けプロセス/デバイス・シミュレーションの機能を紹介します。さらに、SiC JBSダイオードおよびGaN FETなど、さまざまな実例について実演し考察します。

ARおよびホログラフィ・アプリケーションを実現する、LCoSピクセルのシミュレーションと解析

本ウェビナーでは、シミュレーション・ツールであるClever LCDを使用して位相に特化したLCoS-SLMを解析する方法を示します。特に、ピクセル駆動およびピクセル・サイズの縮小で起こる問題について説明します。

シルバコTCAD: 入門と基礎 – チュートリアル – パートIII

この3部構成のウェビナーでは、シルバコTCADのソフトウェア・スイートを紹介し、入門用トレーニングおよびチュートリアルを提供します。このシリーズにより、複雑なTCADに対して適切なスタート地点から取り組み、確信を持ってTCADシミュレーションを成功させる方法を短期間で習得することが可能です。

酸化物半導体TFTのデバイスシミュレーション: デバイスモデリングと自己発熱効果

本ウェビナーでは、シルバコのシミュレータを用いた酸化物半導体TFTのデバイスシミュレーションを紹介します。酸化物半導体特有のキャリア電子輸送と電子状態は、移動度モデルとDOS (density of subgap states) 分布に反映されます。これらのモデルパラメータ値を決定する手法を提案するとともに、その結果を適用したデバイスシミュレーションが酸化物半導体TFTの電気的特性を広い温度範囲において再現できることを示します。

シルバコTCAD: 入門と基礎 – チュートリアル – パートII

この3部構成のウェビナーでは、シルバコTCADのソフトウェア・スイートを紹介し、入門用トレーニングおよびチュートリアルを提供します。このシリーズにより、複雑なTCADに対して適切なスタート地点から取り組み、確信を持ってTCADシミュレーションを成功させる方法を短期間で習得することが可能です。

シルバコTCAD: 入門と基礎 – チュートリアル – パートI

この3部構成のウェビナーでは、シルバコTCADのソフトウェア・スイートを紹介し、入門用トレーニングおよびチュートリアルを提供します。このシリーズにより、複雑なTCADに対して適切なスタート地点から取り組み、確信を持ってTCADシミュレーションを成功させる方法を短期間で習得することが可能です。

DTCO (デザインとテクノロジの同時最適化) をたった一つのコマンド・ファイルでコントロール

0 コメント
/
本ウェビナーでは、DTCO (デザインとテクノロジの同時最適化)を一つのコマンド・ファイルと一つのGDSIIレイアウトで可能にするアドバンテージについて説明します。

ナノデバイスにおける原子レベルのシミュレーション

本ウェビナーでは、シルバコのTCADツール・スイートへと発展したNEMO5の原子レベルのシミュレーション機能について紹介します。

TCADベースのGaN HEMTデバイス・モデル抽出フロー – Part2

本ウェビナーは、以前ご紹介したGaN HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジの続きを説明します。今回は、TCADデバイス・シミュレータを使用してI-VおよびC-Vデータを生成する方法についても説明します。