GaN-Based LEDs – Combining Process and Device TCAD to Optimize Substrate Patterning and Maximize Light Extraction Efficiency
配信開始日: 2021年5月24日
GaNベースのLEDの光取り出し効率は、サファイア基板をパターニングすることで、大幅に向上させることができます。最適化された基板形状により、内部全反射(TIR)の悪影響が軽減され、LEDの性能が向上します。特に効果的な基板パターニングを実現する半導体製造技術に、サファイアの異方性ウェット・エッチングがあります。結果として生じる3次元のエッチング形状は複雑で、LEDの効率を最大化する理想的なプロセス・パラメータを見つけるためには、正確な予測が必要になります。
このウェビナーでは、プロセスとデバイスのTCADシミュレーションを組み合わせてGaNベースのLED設計をサポートするワーク・フローをご紹介します。このワーク・フローは、Victory Process の3次元プロセス・シミュレーション機能、サファイアのウェット・エッチングの物理モデル、およびVictory Deviceの光取り出しレイトレーシング解析機能を統合しています。これにより、プロセス・パラメータがLEDの性能に与える影響を定量的に把握することができます。
- 異方性の強いエッチングに対するVictory Processの機能
- サファイアの複雑な異方性ウェット・エッチングをモデル化する方法
- プロセスとデバイスのTCADシミュレーションを組み合わせる方法
- パターニングされたサファイア基板がGaNベースのLEDに与える影響
プレゼンタ
Alexander Toiflは現在、オーストリアのTU WienにあるInstitute for MicroelectronicsのChristian Doppler Laboratory for High Performanceで、プロセスTCADの分野で博士号を取得する最終段階にいます。研究テーマは、3次元トポグラフィの異方性エッチングおよびエピタキシ、ワイドバンドギャップ材料の注入後アニール、およびLEDです。
TU Wienで電気工学の学士号とマイクロ・エレクトロニクスとフォトニクスの修士号を取得しています。
対象:
GaNベースのLEDを設計および最適化するためのソリューションを探しているデバイス/プロセス・エンジニアおよびマネージャ
[日本時間]
開催日: 2021年5月21日
配信: オンライン
開催時間: 2:00-2:30 JST
言語: 英語