MOSデバイスの信頼性およびNBTIエージングのシミュレーション
本ウェビナーでは、シルバコのTCADツールで利用可能な優れた信頼性モデルを紹介します。信頼性モデルの基本機能や重要なパラメータについて説明し、正確なキャリブレーションおよび実験結果との比較について考察します。
TCAD Solution for Flexible Display
本ウェビナーでは、デバイス特性に影響を与える主な要因、およびフレキシブル・ディスプレイ・デバイス設計の基本要素を再考察します。
ナノデバイスにおけるバンド構造の影響 – NEMO5の使用事例
本ウェビナでは、ナノメータ・スケールにおけるバンド構造の変更方法および、デバイスのパフォーマンスの結果について、分かりやすく説明します。
フレキシブル・エレクトロニクス向けSPICEモデリング
本ウェビナでは、まず原理を説明し、それから機械的歪みがフレキシブル・エレクトロニクスの回路設計および物理検証に与える影響を考慮するために、TFTおよびMOSFET SPICEモデルを拡張、カスタマイズする実践的テクニックについて説明します。
FPD設計者が生産性を高める方法
本ウェビナーでは、FPDレイアウトの設計生産性を高める、シルバコのレイアウト・エディタExpertの新機能についてお話します。
TCADベースのGaN HEMTデバイス・モデル抽出フロー – Part1
本ウェビナーでは、GaN HEMTデバイスのモデル・パラメータ抽出メソドロジをご紹介します。
TCAD入門―デバイス理論の実践
本ウェビナーでは、著名なゲスト講演者、アリゾナ州立大学、電気電子情報工学の教授、Hugh Barnaby博士をお招きします。シルバコTCADの概要について学ぶことができ、また半導体デバイス物理の学習の一環として、効率的かつ効果的にTCADを利用する方法、および物理ベース・モデリングを用いて新技術を調査、設計するツールとしてTCADを導入する方法について、Barnaby博士の考えを聴くことができます。
フレキシブル・ディスプレイの作成に適した材料を見つけたい？TCADがお手伝いします
本ウェビナーでは、ストレス・シミュレーションに使用される数値的手法を説明し、シンプルな構造の解析モデルと比較、そして変形のため誘起される応力に対するシルバコの非線形有限要素法によるアプローチを紹介します。
リアルな3次元TCAD構造を使用した高精度寄生RC抽出
寄生RCを正確に見極めることは、最新の半導体技術を設計、統合する上で重要な要素となります。ルール・ベースの寄生抽出を使用する従来のフローでは、精度の要求を満たせない場合や、適切なLPEルール・デッキが準備できない場合があります。このような問題の解決には、フィールド・ソルバを利用する物理ベースの寄生抽出が最適なソリューションです。フィールド・ベースのソリューションでは、寄生RCに及ぼす形状の影響を、より詳細に考慮できるリアルな3次元形状を用いることで、最適な寄生抽出が可能です。
イオン輸送および電気化学のTCADシミュレーション
本ウェビナーでは半導体デバイスのイオン輸送および電気化学のシミュレーションについて考察します。